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5-2-2-2 propiedades eléctricas del semiconductor sic

5. tecnología de carburo de silicio

5-2-2-2 propiedades eléctricas del semiconductor sic

2018-01-08

debido a la diferente disposición de los átomos si y c dentro de la red cristalina sic, cada politipo sic

exhibe propiedades eléctricas y ópticas fundamentales únicas. algunos de los semiconductores más importantes

las propiedades eléctricas de los politipos sic 3c, 4h y 6h se dan en la tabla 5.1. mucho más

las propiedades eléctricas detalladas se pueden encontrar en las referencias 11-13 y las referencias en el mismo. incluso dentro de un

dado polytype, algunas propiedades eléctricas importantes son nonisotropic, en que son funciones fuertes

de la dirección cristalográfica del flujo de corriente y del campo eléctrico aplicado (por ejemplo, movilidad electrónica)

para 6h-sic). las impurezas dopantes en sic pueden incorporarse en sitios energéticamente no equitativos. mientras todo

las energías de ionización dopante asociadas con varios sitios de incorporación de dopantes normalmente deberían ser

considerada con la máxima precisión, la tabla 5.1 enumera solo las energías de ionización más superficiales reportadas de cada

impureza.


tabla 5.1comparación de propiedades electrónicas de semiconductores importantes seleccionadas de los principales politipos sic

con silicio, gaas y 2h-gan a 300 k



para comparación, la tabla 5.1 también incluye propiedades comparables de silicio, gaas y gan. porque

el silicio es el semiconductor empleado en la mayoría de los dispositivos electrónicos de estado sólido, es el estándar

contra el cual otros materiales semiconductores deben ser evaluados. en diversos grados, el mayor sic

Los politipos exhiben ventajas y desventajas en las propiedades del material básico en comparación con el silicio. el

la mayoría de las ventajas materiales inherentes beneficiosas de sic sobre silicio enumeradas en la tabla 5.1 son excepcionalmente

campo eléctrico de alto desglose, energía de banda ancha, alta conductividad térmica y alta saturación de portadora

velocidad. se discuten los beneficios de rendimiento del dispositivo eléctrico que cada una de estas propiedades permite

en la siguiente sección, al igual que los beneficios a nivel de sistema habilitados por dispositivos sic mejorados.

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