reflejos

• nueva estrategia de crecimiento de gaas on si (1 0 0) con superretícula de la capa de tensión alas / gaas.

• énfasis en la comprensión de la morfología cristalina no concluyente en las capas iniciales.

• se observó baja td en hrtem y bajo rms en afm.

• observó un cuarto orden de picos de superred en el escaneo ω-2θ en hrxrd.

• saedp muestra el enrejado de fcc y el estudio de rsm demuestra una epilayer de gaas no inclinada y completamente relajada.

se ha desarrollado una nueva estrategia de crecimiento para la epicapa de gaas en si (10) con la superretícula de capa coartada alas / gaas para lograr una alta calidad cristalina para aplicaciones de dispositivos. se ha puesto énfasis en la comprensión de la morfología cristalina inconclusa de las capas iniciales mediante una caracterización completa del material. La influencia de las condiciones de crecimiento se ha estudiado variando las temperaturas de crecimiento, las tasas y las relaciones de flujo v / iii. las observaciones in situ de Rheed a lo largo del crecimiento nos guiaron a reconocer el impacto de los parámetros de crecimiento individuales sobre la morfología cristalina. las cuatro etapas de crecimiento se han llevado a cabo mediante epitaxia de haz molecular. la optimización de los parámetros de crecimiento en cada etapa inicia la formación de cristales cúbicos centrados en la cara de gaas desde el principio. caracterizaciones de materiales incluyen afm, hrtem y hrxrd. el último, por primera vez fue testigo de la intensidad de los picos de satélites de superredes en el cuarto orden. valores bajos de dislocación de subprocesamiento que se propagan a la superficie superior se han visto en hrtem con ausencia de límites antifásicos (apb). los resultados para las dislocaciones extendidas y la rugosidad superficial se han observado en el orden de 106 cm-2 y 2 nm, respectivamente, que se encuentra entre los mejores valores informados hasta la fecha. se ha observado una reducción significativa de dislocaciones extendidas bajo los campos de tensión en la superred. en particular, la mezcla de baja aleación debido al crecimiento optimizado de alas / gaas dio como resultado una plataforma de comportamiento térmico adecuada según se requiera para las aplicaciones del dispositivo. Se han logrado epilayers de lenguajes completamente relajados, no inclinados, sin apb, de un solo dominio y de gaas lisas que allanan el camino hacia la integración en la oblea de dispositivos de iii-arsenuro de alto rendimiento con circuitos lógicos si.

palabras clave

a3. mbe; gaas en si (1 0 0); alas / gaas superlattice; rsm; patrón saed

fuente: sciencedirect

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