2020-03-17
2020-03-09
algainp se usa en la fabricación de diodos emisores de luz de alto brillo, rojo, naranja, verde y amarillo, para formar la luz que emite la heteroestructura. también se usa para hacer láseres de diodo.
La capa de algainp a menudo se cultiva con heteroepitaxi sobre arseniuro de galio o fosfuro de galio para formar una estructura de pozo cuántico.
especificaciones de obleas algainp en chips
algainp led wafer para chip
item no.:pam-cayg1101
dimensiones:
técnica de crecimiento - mocvd
material de sustrato: arseniuro de galio
conducción del sustrato: n tipo
diámetro: 2 \"
● dimensiones del chip:
1) tamaño del chip: tamaño frontal: 8mil (± 1mil) × 8mil (± 1mil)
reverso: 9mil (± 1mil) × 9mil (± 1mil)
2) espesor de la viruta: 7mil (± 1mil)
3) tamaño de la almohadilla: 4mil (± 0.5mil)
4) estructura: ver 1-1
● propiedades fotoeléctricas
|
parámetro |
condición |
min. |
típico |
max. |
unidad |
|
tensión directa ( vf1 ) |
if = 10μa |
1.35 |
﹎ |
﹎ |
v |
|
tensión directa ( vf2 ) |
if = 20ma |
﹎ |
﹎ |
2.2 |
v |
|
tensión inversa ( lr ) |
vr = 10v |
﹎ |
﹎ |
2 |
μa |
|
dominante longitud de onda ( λ d) |
if = 20ma |
565 |
﹎ |
575 |
Nuevo Méjico |
|
fwhm ( Δλ ) |
if = 20ma |
﹎ |
10 |
﹎ |
Nuevo Méjico |
● intensidad luminosa:
|
código |
lc |
ld |
le |
si |
lg |
lh |
li |
|
iv (mcd) |
20-30 |
25-35 |
30-35 |
35-50 |
40-60 |
50-70 |
60-80 |
banda de gap de algainp forzado en sustrato de gaas
en este tutorial queremos estudiar las lagunas de banda de alxgayin1-x-yp sobre un sustrato de gaas.
los parámetros materiales están tomados de
parámetros de banda para semiconductores compuestos iii-v y sus aleaciones
yo. vurgaftman, j.r. Meyer, l.r. Ram-Mohan
j. Apl. fis. 89 (11), 5815 (2001)
Para entender el efecto de la tensión en el espacio de banda en los componentes individuales de este cuaternario, primero examinamos los efectos en
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1) alp |
tenso tensamente |
con respecto a Gaas |
|
2) brecha |
tenso tensamente |
con respecto a Gaas |
|
3) inp |
tenso compresivamente |
con respecto a Gaas |
|
4) al X Georgia 1-x pag |
tenso tensamente |
con respecto a Gaas |
|
5) ga X en 1-x pag |
tenso |
con respecto a Gaas |
|
6) al X en 1-x pag |
tenso |
con respecto a Gaas |
|
7) al 0.4 Georgia 0.6 pag |
tenso tensamente |
con respecto a Gaas |
|
8) ga 0.4 en 0.6 pag |
tenso compresivamente |
con respecto a Gaas |
|
9) al 0.4 en 0.6 pag |
tenso compresivamente |
con respecto a Gaas |
cada capa de material tiene una longitud de 10 nm en la simulación.
las capas de material 4), 5) y 6) varían linealmente su contenido de aleación:
|
4) al X Georgia 1-x pag de 10 nm a 20 nm de x = 0.0 a x = 1.0 |
|
5) ga X en 1-x pag de 30 nm a 40 nm de x = 0.0 a x = 1.0 |
|
6) al X en 1-x pag de 50 nm a 60 nm de x = 1.0 a x = 0.0 |
índice de refracción de algainp
fuente: semiconductorwafers.net
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