reflejos

• el modelo de captura controlada por barrera se desarrolló alrededor de defectos extendidos.

• la movilidad de electrones y la distribución del campo electrónico fueron distorsionadas por la región de agotamiento de carga espacial.

• los defectos extendidos actúan como una región activada por recombinación.

• se establecieron las relaciones entre los defectos extendidos y el rendimiento del detector.

Se utilizaron técnicas de corriente transitoria usando fuente de partículas alfa para estudiar la influencia de los defectos extendidos en el tiempo de deriva de electrones y el rendimiento del detector de cristales cdznte. A diferencia del caso de atrapamiento a través de un punto defectuoso aislado, se utilizó un modelo de captura controlada para explicar el mecanismo de atrapamiento del portador en los defectos extendidos. el efecto de los defectos extendidos sobre la fotoconductancia se estudió mediante la medición de la corriente transitoria (lbic) inducida por el rayo láser. los resultados demuestran que la región de carga espacial de agotamiento de tipo schottky es inducida en la proximidad de los defectos extendidos, lo que distorsiona aún más la distribución del campo eléctrico interno y afecta la trayectoria del portador en cristales cdznte. la relación entre el tiempo de deriva de electrones y el rendimiento del detector se ha establecido.

palabras clave

dispositivos semiconductores ii-vi; cdznte; atrapamiento controlado por barrera; defectos extendidos

fuente: sciencedirect

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