sigue siendo un gran desafío para los dispositivos basados en semiconductores obtener un gran efecto de magnetorresistencia (mr) bajo un campo magnético bajo a temperatura ambiente. en este trabajo, los efectos de mr fotoinducidos bajo diferentes intensidades de iluminación a temperatura ambiente se investigan en una arseniuro de galio semi-aislante ( si-gaas ) ag / si-gaas / ag dispositivo basa...
el proceso para disminuir la densidad de dislocación en fe-dopado de 3 pulgadas obleas inp es descrito. el proceso de crecimiento de cristales es un czochralsky (lec) encapsulado en líquido convencional, pero se han añadido protectores térmicos para disminuir el gradiente térmico en el cristal en crecimiento. la forma de estos escudos se ha optimizado con la ayuda de simulaciones numéricas de tran...
la densidad y la intensidad de dispersión de la luz del oxígeno precipita en cz silicio los cristales se miden por tomografía de dispersión de la luz. los datos numéricos clarificados a través de las mediciones se discuten en relación con la cantidad de oxígeno precipitado. los resultados obtenidos aquí se corresponden bien con el análisis teórico de que los precipitados de oxígeno hacen que la lu...
Para realizar carburo de silicio de alto rendimiento ( Sic ) dispositivos de potencia, contactos óhmicos de baja resistencia a p-type SiC deben ser desarrollados. Para reducir la resistencia de contacto óhmico, se necesita reducir la altura de la barrera en las interfaces de metal / SiC o aumentar la concentración de dopaje en los sustratos de SiC. Dado que la reducción de la altura de la barrera ...
En este documento, utilizando un simulador de dispositivo electro-térmico tridimensional completamente acoplado, estudiamos el mecanismo de degradación de la eficiencia en operaciones de alta corriente en planar sol una Diodos emisores de luz basados en N (LED). En particular, se ha demostrado la mejora de la degradación de la eficiencia utilizando sustratos de GaN conductores más gruesos. Prime...
Experimentos ortogonales de películas de GaSb crecen en Sustrato de GaAs han sido diseñados y realizados mediante el uso de un sistema de deposición de vapor químico / metal orgánico de baja presión (LP-MOCVD) Las cristalinidades y microestructuras de las películas producidas se analizaron comparativamente para lograr los parámetros de crecimiento óptimos. Se demostró que la película delgada de Ga...
Las características del láser dependientes de la temperatura de la unión de un diodo láser GaInAsP (LD) de 1.5 a µm crecieron en un enlace directamente Sustrato inP o Sustrato de si se obtuvieron con éxito. Hemos fabricado el En p sustrato o sustrato de Si que utiliza una técnica de unión de oblea hidrófila directa a temperaturas de unión de 350, 400 y 450 ° C, y GaInAsP depositado o Capas de dobl...
Se revisan los avances recientes en el crecimiento de películas epitaxiales de SiC en Si. Se discuten los métodos clásicos básicos utilizados actualmente para el crecimiento de películas de SiC y se exploran sus ventajas y desventajas. La idea básica y los antecedentes teóricos de un nuevo método de síntesis de películas epitaxiales de SiCen Si se dan. Se demostrará que el nuevo método es signific...
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