sigue siendo un gran desafío para los dispositivos basados en semiconductores obtener un gran efecto de magnetorresistencia (mr) bajo un campo magnético bajo a temperatura ambiente. en este trabajo, los efectos de mr fotoinducidos bajo diferentes intensidades de iluminación a temperatura ambiente se investigan en una arseniuro de galio semi-aislante ( si-gaas ) ag / si-gaas / ag dispositivo basa...
microestructuras de sub-monocapa tensil a alta tensión en gas se han cultivado mediante epitaxia de haz molecular y se han estudiado mediante microscopía de túnel de barrido de ultra alto vacío. cuatro tasas de cobertura diferentes de ge nanoestructuras en gasb se logran e investigan. se encuentra que el crecimiento de ge en gasb sigue el modo de crecimiento 2d. la red cristalina de la sub-monocap...
la densidad y la intensidad de dispersión de la luz del oxígeno precipita en cz silicio los cristales se miden por tomografía de dispersión de la luz. los datos numéricos clarificados a través de las mediciones se discuten en relación con la cantidad de oxígeno precipitado. los resultados obtenidos aquí se corresponden bien con el análisis teórico de que los precipitados de oxígeno hacen que la lu...
Los cristales individuales GaSb te-dopados se estudian midiendo el efecto Hall, la transmisión de infrarrojos (IR) y los espectros de fotoluminiscencia (PL). Se encuentra que el GaSb de tipo n con transmitancia IR puede obtenerse hasta en un 60% mediante el control crítico de la concentración de Te-dopaje y la compensación eléctrica. La concentración de los defectos asociados con el receptor nativ...
En este documento, utilizando un simulador de dispositivo electro-térmico tridimensional completamente acoplado, estudiamos el mecanismo de degradación de la eficiencia en operaciones de alta corriente en planar sol una Diodos emisores de luz basados en N (LED). En particular, se ha demostrado la mejora de la degradación de la eficiencia utilizando sustratos de GaN conductores más gruesos. Prime...
Experimentos ortogonales de películas de GaSb crecen en Sustrato de GaAs han sido diseñados y realizados mediante el uso de un sistema de deposición de vapor químico / metal orgánico de baja presión (LP-MOCVD) Las cristalinidades y microestructuras de las películas producidas se analizaron comparativamente para lograr los parámetros de crecimiento óptimos. Se demostró que la película delgada de Ga...
Para los materiales homogéneos, el método de inmersión ultrasónica, asociado con un proceso de optimización numérico basado principalmente en el algoritmo de Newton, permite la determinación de constantes elásticas para diversos materiales compuestos sintéticos y naturales. Sin embargo, una limitación principal del procedimiento de optimización existente ocurre cuando el material considerado está ...
Se ha desarrollado un epi-reactor de pared caliente vertical que hace posible lograr simultáneamente una alta tasa de crecimiento y uniformidad de área grande. Se alcanza una tasa de crecimiento máxima de 250 µm / h con una morfología similar a un espejo a 1650 ° C. Bajo una modificada epi-reactor La configuración, una uniformidad de grosor de 1.1% y una uniformidad de dopaje de 6.7% para un área ...
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