Examen topográfico y químico de rayos X de Si: Ge cristales solos conteniendo 1.2 en% y 3.0 en% Ge, junto con mediciones precisas de parámetros de red, se realizó. Los contrastes de difracción en forma de "cuasi círculos" concéntricos (estrías), probablemente debido a la distribución no uniforme de los átomos de Ge, se observaron en las topografías de proyección. Los patrones de grabado ...
Experimentos ortogonales de películas de GaSb crecen en Sustrato de GaAs han sido diseñados y realizados mediante el uso de un sistema de deposición de vapor químico / metal orgánico de baja presión (LP-MOCVD) Las cristalinidades y microestructuras de las películas producidas se analizaron comparativamente para lograr los parámetros de crecimiento óptimos. Se demostró que la película delgada de Ga...
Para los materiales homogéneos, el método de inmersión ultrasónica, asociado con un proceso de optimización numérico basado principalmente en el algoritmo de Newton, permite la determinación de constantes elásticas para diversos materiales compuestos sintéticos y naturales. Sin embargo, una limitación principal del procedimiento de optimización existente ocurre cuando el material considerado está ...
Las características del láser dependientes de la temperatura de la unión de un diodo láser GaInAsP (LD) de 1.5 a µm crecieron en un enlace directamente Sustrato inP o Sustrato de si se obtuvieron con éxito. Hemos fabricado el En p sustrato o sustrato de Si que utiliza una técnica de unión de oblea hidrófila directa a temperaturas de unión de 350, 400 y 450 ° C, y GaInAsP depositado o Capas de dobl...
Se ha desarrollado un epi-reactor de pared caliente vertical que hace posible lograr simultáneamente una alta tasa de crecimiento y uniformidad de área grande. Se alcanza una tasa de crecimiento máxima de 250 µm / h con una morfología similar a un espejo a 1650 ° C. Bajo una modificada epi-reactor La configuración, una uniformidad de grosor de 1.1% y una uniformidad de dopaje de 6.7% para un área ...
Hemos mejorado la eficiencia de las antenas fotoconductoras (PCA) utilizando GaAs cultivado a baja temperatura (LT-GaAs). Descubrimos que las propiedades físicas de las capas fotoconductoras de LT-GaAs afectan en gran medida las características de generación y detección de ondas de terahercios (THz). En la generación de THz, la alta movilidad de los portadores fotoexcitados y la presencia de unos ...
Un método de formación de imágenes no destructivo sin contacto para la concentración de dopantes resuelta espacialmente, [2.2] N d, y la resistividad eléctrica, ρ, de obleas de silicio de tipo n y pSe presenta el uso de imágenes de carrierografía de bloqueo en varias intensidades de irradiación láser. Se empleó información de amplitud y fase de sitios de obleas con resistividad conocida para deriv...
Se revisan los avances recientes en el crecimiento de películas epitaxiales de SiC en Si. Se discuten los métodos clásicos básicos utilizados actualmente para el crecimiento de películas de SiC y se exploran sus ventajas y desventajas. La idea básica y los antecedentes teóricos de un nuevo método de síntesis de películas epitaxiales de SiCen Si se dan. Se demostrará que el nuevo método es signific...
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