Utilizando la deposición de vapores químicos mejorados por plasma (PECVD, por sus siglas en inglés) a 13.56 MHz, se fabrica una capa de semilla en la etapa de crecimiento inicial del microcristalino hidrogenado. germanio de silicona (μc-Si1 − xGex: H) i-layer. Los efectos de los procesos de siembra en el crecimiento de μc-Si1 − xGex: H i-layers y el rendimiento de μc-Si1 − xGex: H p — i — n célula...
Experimentos ortogonales de películas de GaSb crecen en Sustrato de GaAs han sido diseñados y realizados mediante el uso de un sistema de deposición de vapor químico / metal orgánico de baja presión (LP-MOCVD) Las cristalinidades y microestructuras de las películas producidas se analizaron comparativamente para lograr los parámetros de crecimiento óptimos. Se demostró que la película delgada de Ga...
Para los materiales homogéneos, el método de inmersión ultrasónica, asociado con un proceso de optimización numérico basado principalmente en el algoritmo de Newton, permite la determinación de constantes elásticas para diversos materiales compuestos sintéticos y naturales. Sin embargo, una limitación principal del procedimiento de optimización existente ocurre cuando el material considerado está ...
Un método de formación de imágenes no destructivo sin contacto para la concentración de dopantes resuelta espacialmente, [2.2] N d, y la resistividad eléctrica, ρ, de obleas de silicio de tipo n y pSe presenta el uso de imágenes de carrierografía de bloqueo en varias intensidades de irradiación láser. Se empleó información de amplitud y fase de sitios de obleas con resistividad conocida para deriv...
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