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Pulido mecánico químico y nanomecánica de monocristales semiconductores de CdZnTe

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Pulido mecánico químico y nanomecánica de monocristales semiconductores de CdZnTe

2019-03-05

(1 1 1), (1 1 0) Cd0.96Zn0.04Te y (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te obleas semiconductoras cultivadas por el método de Bridgman vertical modificado con dimensiones de 10 mm × 10 mm × 2,5 mm fueron superpuestas con una solución de polvo de Al2O3 poligonal de 2–5 µm, y luego se pule químicamente mecánicamente con una solución ácida que tiene nanopartículas con un diámetro de alrededor de 5 nm, correspondientes a las rugosidades superficiales Ra de 2.135 nm, 1.968 nm y 1.856 nm. La dureza y el módulo elástico de (1 1 1), (1 1 0) Cd0.96Zn0.04Te y (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te monocristales son 1.21 GPa, 42.5 GPa; 1,02 GPa, 44,0 GPa; y 1,19 GPa, 43,4 GPa, respectivamente. Después de que el nanoindentador de Berkovich realiza el nanocorte, la rugosidad superficial Ra del cristal único (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te alcanza una superficie ultrasuave de 0,215 nm. La dureza y el módulo elástico de tres tipos deLos monocristales de CdZnTe disminuyen con el aumento de la carga de indentación. Cuando el nanoindentador sale de la superficie de los cristales, los efectos de adherencia son evidentes para los tres tipos de monocristales. Esto se atribuye al comportamiento de adherencia plástica del material CdZnTe a nivel de nanoescala. Cuando la carga de indentación de los tres tipos de monocristales de CdZnTe está en el rango de 4000–12 000 µN, el material de CdZnTe adherido al nanoindentador cae sobre la superficie y se acumula alrededor de la nanoindentación.


Fuente:IOPscience

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