2020-03-17
2020-03-09
La emisión de luz inyectada por corriente se confirmó para la epitaxia en fase de vapor orgánico metálico (MOVPE) cultivada con (Ga)InAs/InP puntos cuánticos (QD) en sustrato de InP/Si unido directamente. El sustrato de InP/Si se preparó mediante la unión directa de una película delgada de InP y un sustrato de Si mediante un proceso de recocido y grabado en húmedo. MOVPE cultivó una estructura LED p-i-n que incluye Stranski-Krastanov (Ga)InAs/InP QD en un sustrato InP/Si. No se observó desunión entre el sustrato de Si y la capa de InP , incluso después del crecimiento de MOVPE y la operación del dispositivo en condiciones de onda continua a temperatura ambiente. Las características de fotoluminiscencia, corriente/voltaje y electroluminiscencia del dispositivo cultivado en el sustrato InP/Si se compararon con la referencia cultivada en un sustrato InP.
Fuente:IOPscience
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