epigan nv, un proveedor mundial de soluciones de material epitaxial iii-nitruro para fabricación avanzada de semiconductores, exhibirá las últimas mejoras de su nitruro de galio en la familia de epi-obleas de silicio que cumple con las especificaciones industriales para dispositivos de hemt (transistores de alta movilidad de electrones) a 650v en pcim europa 2017 en nuremberg, alemania, (16-18 de mayo de 2017) como en csmantech en indian wells, california, usa (22-14 de mayo de 2017). en pcim europe 2017, epigan exhibirá en el hall 6, stand 432.

(imagen: epigan)

aprovechando su posición tecnológica líder en materiales gan-on-si y gan-on-sic avanzados para conmutación de potencia de alto rendimiento y dispositivos de potencia rf para aplicaciones de ondas milimétricas, epigan lidera el camino para definir la calidad del material epi-oblea para propiedades de dispositivos que reducir las pérdidas de conversión y aumentar la fiabilidad. con su tecnología gan-on-si rentable, epigan ha permitido innovaciones en frenos de ruta en sistemas de administración de potencia y rf de 650v, como la tecnología gan / si de escala de hasta 200 mm para que las economías de escala entren en las líneas de fabricación de cmos convencionales de basado en idms y fundiciones.

epigan ha asumido y dominado con éxito este desafío de fabricación y ha desarrollado versiones de 200 mm de sus epiwafers hv650v y hvrf gan-on-si. Entre los logros distintivos de los productos de energía rf hv650v de epigan se encuentran un buen comportamiento dinámico para dispositivos de potencia y pérdidas de rf más bajas (\u0026 lt; 0.5db / mm hasta 50ghz) para la familia de productos hvrf.

una ventaja competitiva importante y el concepto clave de la tecnología gan / si epi-oblea de epigan es la capa de nivelación in situ in situ. esta característica especial, como fue desarrollada por epigan, proporciona pasivación de superficie superior y confiabilidad del dispositivo, y permite el procesamiento sin contaminación en las infraestructuras de producción estándar si-cmos existentes. la estructuración de siniestros in situ también permite el uso de capas de aln puro como materiales de barrera, lo que da como resultado menores pérdidas de conducción y / o permite el diseño de chips de menor tamaño para la misma clasificación de corriente.

\"La tecnología gan ha comenzado a entrar en muchas aplicaciones, ya sea en la conmutación de potencia o en la amplificación de potencia rf\", dice la cofundadora y consejera delegada de epigan, marianne germain. \"Suministramos epi-obleas gan-on-si de 200mm líderes en la industria a la industria global de semiconductores, y estamos particularmente orgullosos de haber desarrollado epi-obleas gan-on-si que muestran la menor pérdida de rf hasta 100 ghz. esta es una respuesta oportuna a las crecientes demandas de la comunicación inalámbrica, como la introducción de 5g e Internet de las cosas \".

en pcim europe, dr germain participará en una mesa redonda de alto nivel \"gan - design, emc and measurement\" en el foro fach, organizada por los sistemas de energía de Bodo (17 de mayo). dr markus behet, epigan cmo, dará una presentación titulada \"de la publicidad a la realidad: gan / si - ¿dónde estamos hoy?\" en el foro de expositores pcim europe (18 de mayo) y el foro expositor csmantech (23 de mayo).

palabras clave: epigan; gan-on-si; gan-on-sic; obleas epi

fuente: ledinside

Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web: http://www.semiconductorwafers.net ,

envíenos un correo electrónico a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .