reflejos

• Se describe el esquema de fabricación para circuitos heterogéneos si-to-inp en el nivel de la oblea.

• precisión de alineación de la oblea a la oblea mejor que 4-8 μm después de la unión obtenida.

• interconecta con un excelente rendimiento demostrado hasta 220 ghz.

• barrera de paladio necesaria al combinar tecnología basada en oro con base en oro.

abstracto

Para beneficiarse de las propiedades materiales de las tecnologías inp-hbt y sige-bicmos, hemos empleado un esquema de integración de enlace de oblea basado en benzociclobuteno (bcb) tridimensional (3d). se desarrolló un proceso monolítico de fabricación de obleas basado en tecnología de transferencia de sustrato, lo que permitió la realización de complejos circuitos de alta frecuencia heterointegrados. interconexiones verticales miniaturizadas (vias) con baja pérdida de inserción y excelentes propiedades de banda ancha que permiten una transición sin interrupciones entre los subcircuitos inp y bicmos.

Gráficamente abstracto

palabras clave

transistores bipolares de heterounión; fosfuro de indio; circuitos integrados monolíticos; circuitos integrados tridimensionales; enlace de oblea; integración de escala de obleas

fuente: sciencedirect

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