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  • gan on silicon

    sustrato de gan independiente

    pam-xiamen ha establecido la tecnología de fabricación para la oblea de substrato gan independiente (de nitruro de galio), que es para uhb-led y ld. cultivado por tecnología de epitaxia en fase de vapor de hidruro (hvpe), nuestro sustrato gan tiene baja densidad de defectos.

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  • sic crystal

    sustrato sic

    pam-xiamen ofrece obleas de carburo de silicio semiconductoras, 6h sic y 4h sic en diferentes grados de calidad para el investigador y fabricantes de la industria. hemos desarrollado la tecnología de crecimiento de cristal sic y la tecnología de procesamiento de obleas de cristal sic, estableció una línea de producción para el sustrato sic del fabricante, que se aplica en dispositivos epitaxy gan, dispositivos de potencia, dispositivo de alta temperatura y dispositivos optoelectrónicos. como una empresa profesional invertida por los principales fabricantes de los campos de avanzada e investigación de materiales de alta tecnología e institutos estatales y laboratorio de semiconductores de China, nos dedicamos continuamente mejorar la calidad de los sustratos actuales y desarrollar sustratos de gran tamaño.

    etiquetas calientes : 4h sic 6h sic oblea sic oblea de carburo de silicio sustrato de carburo de silicio precio de obleas sic

  • GaAs crystal

    obleas de gaas (arseniuro de galio)

    pwam desarrolla y fabrica sustratos semiconductores compuestos: cristal de arseniuro de galio y wafer.we ha utilizado tecnología avanzada de crecimiento de cristales, congelación de gradiente vertical (vgf) y tecnología de procesamiento de obleas gaas, estableció una línea de producción de crecimiento de cristales, corte, pulido para procesamiento de pulido y construcción una sala limpia de 100 clases para limpieza y empaquetado de obleas. nuestra oblea gaas incluye lingote / obleas de 2 a 6 pulgadas para aplicaciones de led, ld y microelectrónica. Siempre estamos dedicados a mejorar la calidad de los actuales subestados y a desarrollar sustratos de gran tamaño.

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  • Germanium substrate

    ge (germanio) monocristales y obleas

    pam ofrece materiales semiconductores, cristal único (ge), oblea de germanio cultivada por vgf / lec

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  • CZT

    cdznte (czt) oblea

    El telururo de cadmio y zinc (cdznte o czt) es un nuevo semiconductor que permite convertir la radiación a electrones de manera efectiva. Se utiliza principalmente en el sustrato de epitaxia de película fina infrarroja, detectores de rayos X y detectores de rayos gamma, modulación óptica láser, alta células solares de rendimiento y otros campos de alta tecnología.

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  • Silicon Wafer

    oblea de prueba oblea oblea de oblea

    pam-xiamen ofrece oblea ficticia / oblea de prueba / oblea de monitor

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  • Silicon Wafer

    cz silicio monocristalino

    cz-silicon el silicio monocristalino cz fuertemente / ligeramente dopado es adecuado para producir varios circuitos integrados (ic), diodos, triodos, paneles solares de energía verde. los elementos especiales (como ga, ge) se pueden agregar para producir materiales de células solares de alta eficiencia, resistentes a la radiación y antidegeneración para componentes especiales.

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  • InP substrate

    oblea inp

    xiamen powerway ofrece obleas inp - fosfuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) o vgf (congelación en gradiente vertical) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o ( 100).

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