2020-03-17
2020-03-09
en el presente trabajo, las matrices de dislocación se investigan en la zona flotante (fz) crecientes obleas de silicio mediante la técnica de mapeo de corriente inducida por haz de luz (lbic) a diferentes longitudes de onda y mediante espectroscopía transitoria de nivel profundo (dlts). la técnica lbic parece ser capaz de reconocer y detectar estas matrices y evaluar su fuerza de recombinación. en las obleas dislocadas, una difusión de fósforo atenúa fuertemente el contraste lóbico de las dislocaciones, dependiendo de la duración y la temperatura del tratamiento. la actividad eléctrica a temperatura ambiente de los defectos, aún físicamente presente, parece desaparecer. simultáneamente, la intensidad máxima de los espectros dlts relacionados con las dislocaciones se reduce y esta evolución depende de la temperatura y duración de la difusión del fósforo.
palabras clave
zona flotante; fuerza de recombinación; obleas de silicio
fuente: sciencedirect
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