xiamen powerway advanced material co., ltd., un proveedor líder de alga s La capa y otros productos y servicios relacionados anunciaron que la nueva disponibilidad de tamaño 2 \"-3\" está en producción masiva en 2017. Este nuevo producto representa una adición natural a la línea de productos de pam-xiamen.

Dr. Shaka, dijo, \"nos complace ofrecer algas capa para nuestros clientes, incluidos muchos que se están desarrollando mejor y más confiables para los diodos láser de doble heteroestructura con emisión de rojo y casi rojo infrarrojo (700 nm-1100 nm) basados ​​en gaas. nuestra algas la capa tiene propiedades excelentes, se usa como material de barrera en dispositivos de heteroestructura basados ​​en gaas. el algas la capa confina los electrones a una región de arseniuro de galio. un ejemplo de tal dispositivo es un fotodetector infrarrojo de pozo cuántico (qwip). la disponibilidad mejora el crecimiento de la bola y los procesos de oblea. \"y\" nuestros clientes ahora pueden beneficiarse del mayor rendimiento del dispositivo esperado al desarrollar transistores avanzados en un sustrato cuadrado. nuestra algas capa son productos naturales de nuestros esfuerzos en curso, actualmente estamos dedicados a desarrollar continuamente productos más confiables \".

pam-xiamen ha mejorado algas línea de productos se ha beneficiado de la tecnología fuerte. apoyo de la universidad nativa y el centro de laboratorio.

ahora muestra un ejemplo de la siguiente manera:

3 \"algas / gaas / algas en sustrato de gaas

espesor de cada epilayer 1μm

densidad dopante para gaas capa 10 ^ 17-10 ^ 18 / cm3

al_xga_1-xas stoichiometry x ~ 0.3

sobre xiamen powerway material avanzado co., ltd

encontrado en 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) es un fabricante líder de material semiconductor compuesto en China. pam-xiamen desarrolla tecnologías avanzadas de crecimiento de cristales y epitaxia, procesos de fabricación, sustratos de ingeniería y dispositivos semiconductores. Las tecnologías de pam-xiamen permiten un mayor rendimiento y una fabricación de obleas de semiconductor de menor costo.

acerca de algas

El arseniuro de aluminio y galio (también arseniuro de galio y aluminio) (alxga1-xas) es un material semiconductor con casi la misma constante reticular que las gaas, pero con una banda prohibida mayor. la x en la fórmula anterior es un número entre 0 y 1 - esto indica una aleación arbitraria entre gaas y alas. la fórmula algaas debe considerarse una forma abreviada de lo anterior, en lugar de una relación particular. el margen de banda varía entre 1.42 ev (gaas) y 2.16 ev (alas). para x \u0026 lt; 0.4, el bandgap es directo. el índice de refracción está relacionado con la banda prohibida a través de las relaciones kramers-kronig y varía entre 2.9 (x = 1) y 3.5 (x = 0). esto permite la construcción de espejos de bragg utilizados en vcsels y rcless.

q & a

q: estoy buscando algunas obleas gaas con una pila epilayer personalizada de algas / gaas / algas cultivadas en obleas superiores de 2 \"y 3\" con cada epilayer que tiene un grosor de orden de 1 micron si-dopado a na en el rango de 10 ^ 17-10 ^ 18 / cm3 tanto para las gaas como para las capas de barrera,

con al_xga_1-xas estequiometría x ~ 0.3

a: sí, podría ser suministrado

P: la cita que nos dio fue para una capa de 220 nm de gaas en la parte superior con un espesor de 2 μm al_0.7 ga_0.3 como capa. Ahora estamos interesados ​​en comprar una capa de gaas de 250 nm en la parte superior de un al_0.7 ga_0 de 3 μm de grosor. 3 como capa. ¿Serías capaz de fabricar tales obleas?

a: sí, podríamos suministrar las dos obleas mencionadas.

Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web: http://www.semiconductorwafers.net ,

envíenos un correo electrónico a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .