xiamen powerway advanced material co., ltd., un proveedor líder de gaas epi wafer y otros productos y servicios relacionados anunció que la nueva disponibilidad de tamaño 2 \"-4\" está en producción masiva en 2017. este nuevo producto representa una adición natural a pam -la línea de productos de Xiamen. Dr. Shaka, dijo, \"nos complace ofrecer gaas epi wafer a nuestros clientes, incluidos muchos que se están desarrollando mejor y más confiables para el láser emisor de superficie de cavidad vertical. nuestra oblea gaas epi tiene excelentes propiedades. Los vcsels para longitudes de onda de 650 nm a 1300 nm se basan típicamente en obleas de arseniuro de galio (gaas) con dbrs formadas a partir de gaas y arseniuro de aluminio y galio (alxga (1-x) as). el sistema gaas-algaas se ve favorecido para construir vcsels porque la constante reticular del material no varía fuertemente a medida que se cambia la composición, lo que permite que se cultiven múltiples capas epitaxiales \"adaptadas a la red\" sobre un sustrato de gaas. sin embargo, el índice de refracción de las algas varía de manera relativamente fuerte a medida que aumenta la fracción al, minimizando el número de capas requeridas para formar un espejo de bragg eficiente en comparación con otros sistemas de materiales candidatos. además, a altas concentraciones de aluminio, se puede formar un óxido a partir de algas, y este óxido se puede usar para restringir la corriente en un vcsel, permitiendo corrientes de umbral muy bajas. la disponibilidad mejora el crecimiento de la bola y los procesos de oblea. \"y\" nuestros clientes ahora pueden beneficiarse del mayor rendimiento del dispositivo esperado al desarrollar transistores avanzados en un sustrato cuadrado. nuestras gaas epi wafer son productos naturales de nuestros esfuerzos actuales, actualmente nos dedicamos a desarrollar continuamente productos más confiables \".

La línea de productos gaas epi mejorada de pam-xiamen se ha beneficiado de una tecnología sólida, que cuenta con el respaldo de la universidad y el laboratorio local.

ahora muestra un ejemplo de la siguiente manera:

1.2 pulgadas n + gaas epi con la capa de alas en el sustrato n + gaas, especificación de la siguiente manera:

capa superior: 2 um n + capa semiconductora de gaas epi,

si-dopaje con \u0026 gt; e18 concentración de dopaje

segunda capa: 10 nm alas undoped (se debe cultivar la capa de alas

usando as2 [dímero] y no as4 [tetrámero]),

tercera capa: 300 nm n + semiconductora capa de amortiguamiento gaas,

si-dopaje con \u0026 gt; e18 concentración de dopaje

capa inferior: 350 um n + sustrato de gaas semiconductores, dopaje con \u0026 gt; e18 doping

2.2 pulgadas p + gaas epi con la capa de alas en el sustrato de p + gaas, especificación de la siguiente manera:

la estructura requerida se enumera de arriba a abajo:

capa superior: 2 um p + capa semi-conductora de gaas epi,

\u0026 gt; e18 concentración de dopaje, cualquier tipo de dopante

segunda capa: 10 nm alas undoped (se debe cultivar la capa de alas

usando as2 [dímero] y no as4 [tetrámero]),

tercera capa: 300 nm p + semiconductores capa de amortiguamiento gaas,

\u0026 gt; e18 concentración de dopaje, cualquier tipo de dopante

capa inferior: 350 um p + semiconductor del sustrato de gaas, \u0026 gt; e18 doping, cualquier tipo de dopante

sobre xiamen powerway material avanzado co., ltd

encontrado en 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) es un fabricante líder de material semiconductor compuesto en China. pam-xiamen desarrolla tecnologías avanzadas de crecimiento de cristales y epitaxia, procesos de fabricación, sustratos de ingeniería y dispositivos semiconductores. Las tecnologías de pam-xiamen permiten un mayor rendimiento y una fabricación de obleas de semiconductor de menor costo. estamos fabricando varios tipos de materiales semiconductores de tipo n dopados con silicio iii-v epi wafer basados ​​en ga, al, in, as yp cultivados por mbe o mocvd. suministramos estructuras personalizadas para cumplir con las especificaciones del cliente. póngase en contacto con nosotros para obtener más información sobre el producto o discutir una estructura específica de capa EPI.

sobre gaas epi wafer

El gaas se usa a menudo como material de sustrato para el crecimiento epitaxial de otros semiconductores iii-v, incluyendo el arseniuro de indio y galio, el aluminio y el arseniuro de galio. Epitaxy se refiere a la deposición de una capa cristalina sobre un sustrato cristalino. La sobrecapa se denomina película epitaxial o capa epitaxial. el término epitaxy proviene de las raíces griegas epi (ἐπί), que significa \"arriba\", y taxis (τάξις), que significa \"una manera ordenada\". se puede traducir como \"arreglando\". para la mayoría de las aplicaciones tecnológicas, se desea que el material depositado forme una capa superior cristalina que tenga una orientación bien definida con respecto a la estructura cristalina del sustrato (epitaxia de dominio único).

las películas epitaxiales pueden crecer a partir de precursores gaseosos o líquidos. debido a que el sustrato actúa como un cristal de siembra, la película depositada puede bloquearse en una o más orientaciones cristalográficas con respecto al cristal del sustrato. si la capa superior forma una orientación aleatoria con respecto al sustrato o no forma una superposición ordenada, se denomina crecimiento no epitaxial. si una película epitaxial se deposita sobre un sustrato de la misma composición, el proceso se denomina homoepitaxia; de lo contrario, se llama heteroepitaxy.

Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web: http://www.semiconductorwafers.net ,

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