Las epicapas de GaSb se cultivaron en Si (001) usando epitaxia de haz molecular a través de puntos cuánticos de AlSb como una matriz de inadaptación interfacial (IMF) entre los sustratos de Siy epicapas de GaSb. Se investigó el efecto del grosor de la matriz IMF, la temperatura de crecimiento y el recocido posterior en la morfología de la superficie, las propiedades estructurales y ópticas del GaSb en Si. Entre los cinco espesores de matriz IMF diferentes (5, 10, 20, 40 y 80 ML) que se usaron en este estudio, el mejor resultado se obtuvo de la muestra con una matriz IMF AlSb de 20 ML. Además, se encontró que aunque el ancho total a la mitad del máximo (FWHM) y las densidades de dislocación de hilos (TD) obtenidas de las curvas de difracción de rayos X de alta resolución pueden mejorarse aumentando la temperatura de crecimiento, una disminución en la señal de fotoluminiscencia (PL) y surgió un aumento en la rugosidad de la superficie (RMS). Por otro lado, los resultados indican que al aplicar el recocido posterior, la calidad del cristal de la epicapa de GaSb se puede mejorar en términos de FWHM, densidad TD, Señal PL o RMS en función de la temperatura posterior al recocido. Aplicando post recocido a 570 °C durante 30 min conseguimos un valor FWHM de 260 arcsec para un espesor de 1 μmEpicapa de GaSb sobre Si (001) y mejora la intensidad de la señal PL sin empeorar el valor RMS.

Fuente:IOPscience

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