2020-03-17
2020-03-09
Este artículo propone un rectificador Schottky (JBSR) de barrera de unión 4H-SiC de doble epi-capa con una capa de P incrustada (EPL) en la región de deriva. La estructura se caracteriza por la capa tipo Pformado en la capa de deriva de tipo n por un proceso de sobrecrecimiento epitaxial. El campo eléctrico y la distribución de potencial cambian debido a la capa P enterrada, lo que da como resultado un alto voltaje de ruptura (BV) y una baja resistencia específica (Ron,sp). Las influencias de los parámetros del dispositivo, como la profundidad de las regiones P+ incrustadas, el espacio entre ellas y la concentración de dopaje de la región de deriva, etc., en BV y Ron,sp, se investigan mediante simulaciones, lo que proporciona una guía particularmente útil para el diseño óptimo del dispositivo. Los resultados indican que BV aumenta en un 48,5 % y la cifra de mérito de Baliga (BFOM) aumenta en un 67,9 % en comparación con un JBSR 4H–SiC convencional.
Fuente:IOPscience
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