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Caracterización de fotovoltaica en superficie de estructuras de láser de pozo cuántico único de GaAs / AlGaAs cultivadas mediante epitaxia de haz molecular

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Caracterización de fotovoltaica en superficie de estructuras de láser de pozo cuántico único de GaAs / AlGaAs cultivadas mediante epitaxia de haz molecular

2018-09-20

Presentamos mediciones de fotovoltaica superficial (SPV) en un haz molecular epitaxia (MBE) cultivaron estructuras de láser de pozo cuántico (SQW). Cada capa en la heteroestructura se ha identificado mediante la medición de la señal SPV después de un proceso de grabado químico secuencial controlado. Estos resultados se han correlacionado con mediciones de difracción de rayos X y fotoluminiscencia (PL) de alta resolución. El efecto Stark confinado cuántico y el cribado de portador del campo eléctrico se han tenido en cuenta tanto teórica como experimentalmente para tener en cuenta las diferencias observadas en los resultados de SPV y PL. Se muestra que SPV se puede utilizar como una herramienta muy efectiva para la evaluación de heteroestructuras que involucran capas múltiples.


Fuente: IOPscience


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