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técnicas para analizar nanotopografía en obleas de silicio pulido

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técnicas para analizar nanotopografía en obleas de silicio pulido

2017-02-26

abstracto


La nanotopografía es una parte de la topografía global de la superficie de la oblea de silicio y puede afectar el rendimiento en los procesos actuales de fabricación de chips (como cmp). las técnicas que combinan la triangulación láser y las etapas de escaneo de alta precisión ahora son capaces de detectar desviaciones de planitud en el rango nanométrico en toda la superficie de la oblea. además, se aplica el análisis espectral de los datos de altura en bruto (por ejemplo, el cálculo de la densidad espectral de potencia) para cuantificar la nanotopografía de las obleas pulidas del estado de la técnica en un amplio intervalo de longitudes de onda espaciales.


palabras clave: ondulación, inspección superficial, rugosidad de la superficie, mediciones de geometría, psd,


fuente: sciencedirect


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