2020-03-17
2020-03-09
Se estudia sistemáticamente el proceso de formación de defectos de cristal en una capa de Ge sobre aislante (capa GOI) fabricada mediante la oxidación de una capa de SiGe sobre aislante (SGOI), conocida como técnica de condensación de Ge. Se encuentra que los defectos de cristal en la capa GOI son dislocaciones de roscado y microgemelos que se forman principalmente en el rango de fracciones de Ge mayor que ~0.5. Además, cuando la fracción de Ge alcanza ~1 y se forma la capa GOI, la densidad de microgemelos disminuye significativamente y su ancho aumenta considerablemente. La relajación de la deformación por compresión, observada en las capas SGOI y GOI, no es atribuible a la formación de los microgemelos, sino a las dislocaciones perfectas que no pueden detectarse como defectos en la imagen reticular.
Fuente:IOPscience
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