2020-03-17
2020-03-09
estamos ejecutando células gainp / gaas / ge de triple unión fabricadas por una técnica mocvd y hechas de materiales compuestos de alta calidad iii-v que ofrecen una eficiencia significativamente alta. en comparación con las células solares convencionales, las células solares de múltiples uniones son más eficientes pero también más caras de fabricar. Las celdas de triple unión son más rentables. se usan en aplicaciones espaciales. y ahora ofrecemos una estructura de oblea epi de la siguiente manera
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capa |
|
fracción molar (x) |
fracción molar (y) |
espesor (um) |
tipo |
nivel cv (cm -3 ) |
|
|
15 |
ganancia (x) como |
0.016 |
\u0026 emsp; |
0.2 |
norte |
\u0026 gt; 5.00e18 |
|
|
14 |
al (x) inp |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0.04 |
norte |
5.00e + 17 |
|
|
13 |
ganancia (x) p |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0.1 |
norte |
2.00e + 18 |
|
|
12 |
ganancia (x) p |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0.5 |
pag |
\u0026 emsp; |
|
|
11 |
alin (x) p |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0.1 |
pag |
\u0026 emsp; |
|
|
10 |
al (x) gaas |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0.015 |
pag |
\u0026 emsp; |
|
|
9 |
Gaas |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0.015 |
norte |
\u0026 emsp; |
|
|
8 |
ganancia (x) p |
0.554 |
\u0026 emsp; |
0.1 |
norte |
\u0026 emsp; |
|
|
7 |
ganancia (x) como |
0.016 |
\u0026 emsp; |
0.1 |
norte |
\u0026 emsp; |
|
|
6 |
ganancia (x) como |
0.016 |
\u0026 emsp; |
3 |
pag |
1-2e17 |
|
|
5 |
ganancia (x) p |
0.554 |
\u0026 emsp; |
0.1 |
pag |
1-2e18 |
|
|
4 |
al (x) gaas |
0.4 |
\u0026 emsp; |
0.03 |
pag |
5.00e + 19 |
|
|
3 |
Gaas |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0.03 |
norte |
2.00e + 19 |
|
|
2 |
ganancia (x) como |
0.016 |
\u0026 emsp; |
0.5 |
norte |
2.00e + 18 |
|
|
1 |
ganancia (x) p |
0.554 |
\u0026 emsp; |
0.06 |
norte |
\u0026 emsp; |
también ofrecemos opi wafers de células solares ingap / gaas de unión única y doble unión, con diferentes estructuras de capas epitaxiales (algaas, ingap) cultivadas en gaas para la aplicación de células solares, haga clic en algap / gaas epi wafer para célula solar
fuente: semiconductorwafers.net
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