1.definición de material de carburo de silicio
  • Parámetro 1-1.título

    2018-01-08

    la constante de red, o parámetro reticular, se refiere a la distancia constante entre celdas unitarias en una red cristalina. las redes en tres dimensiones generalmente tienen tres constantes de red, denominadas a, b y c. sin embargo, en el caso especial de las estructuras de cristal cúbico, todas las constantes son iguales y solo nos referimos a a. de forma similar, en las estructuras de cristal hexagonal, las constantes a yb son iguales, y solo nos referimos a las constantes a y c. un grupo de constantes de red pueden denominarse parámetros de red. sin embargo, el conjunto completo de parámetros de celosía consiste en las tres constantes de celosía y los tres ángulos entre ellos. por ejemplo, la constante de red para un diamante de carbono común es a = 3,57 Å a 300 k. la estructura es equilátera, aunque su forma real no puede determinarse solo a partir de la constante reticular. además, en aplicaciones reales, típicamente se da la constante media de red. como las constantes reticulares tienen la dimensión de longitud, su unidad si es el medidor. las constantes de red son típicamente del orden de varios angstroms (es decir, décimas de nanómetro). las constantes de red pueden determinarse usando técnicas tales como la difracción de rayos X o con un microscopio de fuerza atómica. en el crecimiento epitaxial, la constante de red es una medida de la compatibilidad estructural entre diferentes materiales. La coincidencia constante de celosía es importante para el crecimiento de capas delgadas de materiales sobre otros materiales; cuando las constantes difieren, las cepas se introducen en la capa, lo que evita el crecimiento epitaxial de capas más gruesas sin defectos.

  • 1-2. secuencia de apilamiento

    2018-01-08

    si vamos a hacer una estructura laminada, debemos conocer el grosor de cada capa y el ángulo de cada capa tradicionalmente en grados definidos desde la capa superior hacia abajo.

  • Dureza 1-3.mohs

    2018-01-08

    medida aproximada de la resistencia de una superficie lisa al rayado o la abrasión, expresada en términos de una escala ideada (1812) por el mineralogista alemán friedrich mohs. la dureza de Mohs de un mineral se determina al observar si su superficie está rayada por una sustancia de dureza conocida o definida.

  • 1-4.densidad

    2018-01-08

    la densidad o densidad de masa de un material es su masa por unidad de volumen. el símbolo más utilizado para densidad es ρ (el minúsculo le griego tter rho). matemáticamente, la densidad se define como la masa dividida por el volumen:

  • 1-5. coeficiente de expansión térmica

    2018-01-08

    La expansión térmica es la tendencia de la materia a cambiar de volumen en respuesta a un cambio en la temperatura. cuando una sustancia se calienta, sus partículas comienzan a moverse más y, por lo tanto, generalmente mantienen una mayor separación promedio. los materiales que se contraen al aumentar la temperatura son raros; este efecto tiene un tamaño limitado y solo ocurre dentro de los rangos de temperatura limitados (ver ejemplos a continuación). el grado de expansión dividido por el cambio de temperatura se denomina coeficiente de expansión térmica del material y generalmente varía con la temperatura. el coeficiente de expansión térmica describe cómo cambia el tamaño de un objeto con un cambio en la temperatura. específicamente, mide el cambio fraccional en el tamaño por cambio de grado en la temperatura a una presión constante. se han desarrollado varios tipos de coeficientes: volumétrico, de área y lineal. que se utiliza depende de la aplicación particular y qué dimensiones se consideran importantes. para los sólidos, uno solo puede estar preocupado con el cambio a lo largo de una longitud, o sobre algún área. el coeficiente de expansión térmica volumétrica es el coeficiente de expansión térmica más básico. en general, las sustancias se expanden o contraen cuando cambia su temperatura, y la expansión o contracción ocurre en todas las direcciones. las sustancias que se expanden a la misma velocidad en todas las direcciones se llaman isotrópicas. para los materiales isotrópicos, el área y los coeficientes lineales se pueden calcular a partir del coeficiente volumétrico. las definiciones matemáticas de estos coeficientes se definen a continuación para sólidos, líquidos y gases. coeficiente de expansión térmica volumétrica general en el caso general de un gas, líquido o sólido, el coeficiente volumétrico de expansión térmica está dado por el subíndice p indica que la presión se mantiene constante durante la expansión, y el subíndice \"v\" insiste en que es la expansión volumétrica (no lineal) la que entra en esta definición general. en el caso de un gas, el hecho de que la presión se mantenga constante es importante, ya que el volumen de un gas variará apreciablemente con la presión y la temperatura. para un gas de baja densidad esto se puede ver en la ley de los gases ideales.

  • Índice de refracción 1-6

    2018-01-08

    en óptica, el índice de refracción (o índice de refracción) n de una sustancia (medio óptico) es un número que describe cómo la luz, o cualquier otra radiación, se propaga a través de ese medio. El índice de refracción de los materiales varía con la longitud de onda. esto se llama dispersión; causa la división de la luz blanca en prismas y arco iris, y la aberración cromática en las lentes. inopaque media, el índice de refracción es un número complejo: mientras que la parte real describe la refracción, la parte imaginaria explica la absorción. el concepto de índice de refracción se usa ampliamente en todo el espectro electromagnético, desde los rayos X hasta las ondas de radio. también se puede usar con fenómenos ondulatorios distintos de la luz (por ejemplo, sonido). en este caso, se usa la velocidad del sonido en lugar de la de la luz y se debe elegir un medio de referencia distinto del vacío. para los índices de refracción de la luz infrarroja puede ser considerablemente mayor. El germanio es transparente en una longitud de onda de 589 nanómetros y tiene un índice de refracción de aproximadamente 4, por lo que es un material importante para la óptica infrarroja. índice de refracción sic: 2.55 (infrarrojo; todos los politipos)

  • 1-7.band-gap

    2018-01-08

    en física de estado sólido, un gap de banda, también llamado gap de energía o bandgap, es un rango de energía en un sólido donde no pueden existir estados de electrones. en los gráficos de la estructura de bandas electrónicas de sólidos, la banda prohibida generalmente se refiere a la diferencia de energía (en voltios de electrones) entre la parte superior de la banda de valencia y la parte inferior de la banda de conducción en aisladores y semiconductores. esto es equivalente a la energía requerida para liberar un electrón de la capa externa de su órbita alrededor del núcleo para convertirse en un portador de carga móvil, capaz de moverse libremente dentro del material sólido. entonces la banda prohibida es un factor principal que determina la conductividad eléctrica de un sólido. las sustancias con espacios de banda grandes son generalmente aislantes, las que tienen intervalos de banda más pequeños son semiconductores, mientras que los conductores tienen franjas de banda muy pequeñas o ninguna, ya que las bandas de valencia y conducción se superponen. intervalo de banda sísmica: 2.36ev (3c), 3.23ev ( 4h) y 3.05ev (6h).

  • 1-8.electrical breakdown

    2018-01-08

    el término falla eléctrica o falla eléctrica tiene varios significados similares pero claramente diferentes. por ejemplo, el término puede aplicarse a la falla de un circuito eléctrico. alternativamente, puede referirse a una reducción rápida en la resistencia de un aislador eléctrico que puede conducir a un salto de chispa alrededor oa través del aislador. esto puede ser un evento momentáneo (como en una descarga electrostática), o puede conducir a una descarga continua si los dispositivos de protección no interrumpen la corriente en un circuito de alta potencia. Actualmente hay mucho interés en su uso como material semiconductor en electrónica, donde su alta conductividad térmica, alta resistencia a la descomposición del campo eléctrico y alta densidad de corriente máxima lo hacen más prometedor que el silicio para dispositivos de alta potencia.

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