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  • Silicon Wafer

    aguafuerte

    la oblea de grabado tiene las características de baja rugosidad, buen brillo y costo relativamente bajo, y sustituye directamente la oblea pulida o la oblea epitaxial que tiene un costo relativamente alto para producir los elementos electrónicos en algunos campos, para reducir los costos. están las obleas de grabado de baja rugosidad, baja reflectividad y alta reflectividad.

    etiquetas calientes : aguafuerte grabado de oblea de silicio memes grabado de plasma proceso de grabado pecvd

  • nanolithography

    nanofabricación

    pam-xiamen ofrece una placa fotorresistente con fotorresistencia podemos ofrecer nanolitografía (fotolitografía): preparación de la superficie, aplicación fotorresistente, cocción suave, alineación, exposición, desarrollo, horneado duro, desarrollo de inspección, grabado, eliminación de fotoresist (tira), inspección final.

    etiquetas calientes : fotolitografía nanofabricación fabricación de obleas fotorresistencia fabricación de semiconductores fabricación de obleas

  • InP substrate

    oblea inp

    xiamen powerway ofrece obleas inp - fosfuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) o vgf (congelación en gradiente vertical) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o ( 100).

    etiquetas calientes :

  • InSb substrate

    oblea insb

    xiamen powerway ofrece unsb wafer - antimoniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).

    etiquetas calientes :

  • InAs substrate

    inas wafer

    xiamen powerway ofrece inas wafer - arseniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como epi-ready o grado mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).

    etiquetas calientes : inas wafer inas sustrato oblea de arseniuro de indio sustrato de arseniuro de indio semiconductor de arseniuro de indio estructura de arseniuro de indio

  • GaSb substrate

    oblea de gas

    xiamen powerway ofrece oblea de gas - antimoniuro de galio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o (100)

    etiquetas calientes :

  • GaP substrate

    oblea de brecha

    xiamen powerway ofrece gap wafer - fosfuro de galio que crecen con lec (líquido czochralski encapsulado) como epi-listo o de grado mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).

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