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obleas de gaas (arseniuro de galio)
pwam desarrolla y fabrica sustratos semiconductores compuestos: cristal de arseniuro de galio y wafer.we ha utilizado tecnología avanzada de crecimiento de cristales, congelación de gradiente vertical (vgf) y tecnología de procesamiento de obleas gaas, estableció una línea de producción de crecimiento de cristales, corte, pulido para procesamiento de pulido y construcción una sala limpia de 100 clases para limpieza y empaquetado de obleas. nuestra oblea gaas incluye lingote / obleas de 2 a 6 pulgadas para aplicaciones de led, ld y microelectrónica. Siempre estamos dedicados a mejorar la calidad de los actuales subestados y a desarrollar sustratos de gran tamaño. -
gaas epiwafer
estamos fabricando varios tipos de materiales semiconductores de tipo n dopados con silicio iii-v epi wafer basados en ga, al, in, as yp cultivados por mbe o mocvd. suministramos estructuras personalizadas para cumplir con las especificaciones del cliente. Por favor contáctenos para más información. -
ge (germanio) monocristales y obleas
pam ofrece materiales semiconductores, cristal único (ge), oblea de germanio cultivada por vgf / lec -
silicio monocristalino de la zona flotante
fz-silicon el silicio monocristalino con las características de bajo contenido de material extraño, baja densidad de defectos y estructura cristalina perfecta se produce con el proceso de zona flotante; no se introduce material extraño durante el crecimiento del cristal. la conductividad de fz-silicio suele ser superior a 1000 Ω-cm, y el fz-silicio se utiliza principalmente para producir elementos de alta tensión inversa y dispositivos fotoelectrónicos.etiquetas calientes : zona de flotación fz de silicio proceso de zona flotante lingote de silicio oblea de sílice fabricantes de lingotes de silicio
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oblea de prueba oblea oblea de oblea
pam-xiamen ofrece oblea ficticia / oblea de prueba / oblea de monitoretiquetas calientes : oblea de prueba monitor oblea oblea ficticia sustrato de silicio espesor de la oblea de silicio
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cz silicio monocristalino
cz-silicon el silicio monocristalino cz fuertemente / ligeramente dopado es adecuado para producir varios circuitos integrados (ic), diodos, triodos, paneles solares de energía verde. los elementos especiales (como ga, ge) se pueden agregar para producir materiales de células solares de alta eficiencia, resistentes a la radiación y antidegeneración para componentes especiales.etiquetas calientes : precio de la oblea de silicio obleas chips Soi Wafer obleas de silicio para la venta precio de la oblea
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oblea de silicio epitaxial
oblea epitaxial de silicio (oblea epi) es una capa de silicio monocristalino depositada sobre una oblea de silicio de cristal único (nota: está disponible para hacer crecer una capa de capa de silicio policristalino encima de una oblea de silicio monocristalina altamente dopada, pero necesita capa de amortiguación (tal como óxido o poli-si) entre el substrato a granel y la capa epitaxial superior)etiquetas calientes : oblea de silicio epi oblea de silicio epitaxial fabricantes de obleas epitaxiales fabricante de oblea epi silicio en el aislador
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oblea pulida
fz obleas pulidas, principalmente para la producción de rectificador de silicio (sr), rectificador controlado de silicio (scr), transistor gigante (gtr), tiristor (gro)etiquetas calientes : oblea pulida oblea de silicio pulido oblea mems tecnología electrónica de oblea material de silicio
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