Aunque el crecimiento epitaxial de películas de Si en ambas superficies de la oblea de silicio (epi-Si/Si-wafer/epi-Si) se puede realizar en fundición mediante el montaje de ciertas cantidades de obleas de silicio en un bote en equipo comercial especializado de deposición de vapor químico ( s-CVD), por su contraparte epi-SiC/Si-wafer/epi-SiC, no se realiza fácilmente en s-CVD, ni se logra fácilmente en equipos convencionales de deposición de vapor químico (c-CVD) que generalmente se utilizan para el crecimiento de 3C-SiC en una sola superficie de oblea de silicio (epi- SiC/Si-oblea). Dado que el crecimiento de epi-SiC/Si-wafer/epi-SiC en una ejecución es más eficiente y anticipado, en este trabajo, demostramos un método sencillo para el crecimiento de epi-SiC/Si-wafer/epi-SiC en c-CVD. La oblea de Si se pulió por ambos lados y se montó en modo de suspensión en el susceptor en la cámara c-CVD. Se encontró que las películas homogéneas de 3C-SiC(100) crecían heteroepitaxialmente en ambas superficies de la oblea de Si(100) suspendida simultáneamente. Las propiedades estructurales y eléctricas de las películas 3C-SiC obtenidas en ambas superficies se investigaron mediante mediciones SEM, XRD, Raman y JV. Los resultados mostraron que cada película era uniforme y continua, con la misma tendencia de ligera degradación desde la región interna a la externa de la oblea. Esto indicó una posible forma de hacer la producción en masa de películas 3C-SiC de alta calidad en obleas de Si.en una ejecución en c-CVD para aplicaciones potenciales como sensores, con un principio de funcionamiento basado en la diferencia de caída de voltaje de dos diodos consecutivos en epi-SiC/Si-wafer/epi-SiC, o crecimiento de grafeno a partir de epi- Plantillas SiC/Si-wafer/epi-SiC.

Fuente:IOPscience

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