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Efectos de los métodos de secado y la humectabilidad del silicio en la formación de marcas de agua en el procesamiento de semiconductores

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Efectos de los métodos de secado y la humectabilidad del silicio en la formación de marcas de agua en el procesamiento de semiconductores

2019-12-16

Se investigó la observación en línea y la clasificación de las marcas de agua después del proceso de secado con respecto a la humectabilidad de las obleas y los métodos de secado aplicados. La formación de marcas de agua se observó con un sistema de inspección de obleas KLA y un escáner de partículas en diferentes obleas hidrofílicas e hidrofóbicas con y sin patrones. Las obleas se centrifugaron y se secaron con vapor de IPA en función del tiempo de exposición al aire. Las obleas hidrófilas no crearon ninguna marca de agua ni con el secado por centrifugado ni con el vapor. El tiempo de exposición al aire y el método seco son mucho más sensibles con las superficies hidrofóbicas en la creación de marcas de agua. El secado por centrifugado de las obleas hidrofóbicas creó una gran cantidad de marcas de agua independientemente del tiempo de exposición al aire. Las obleas homogéneamente hidrofílicas o hidrofóbicas con y sin patrones no crearon marcas de agua después del secado al vapor de las obleas. Sin embargo, las obleas estampadas con sitios hidrofóbicos e hidrofílicos crearon marcas de agua incluso en secado con vapor IPA. Esto indica que la humectabilidad y el método de secado de la oblea juegan un papel importante en la creación de marcas de agua enProcesos húmedos de semiconductores .

Fuente:IOPscience

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