2020-03-17
2020-03-09
El objetivo de este artículo es presentar los cálculos de la alineación de bandas de pozos cuánticos de Ga1−xInxNyAs1−y ricos en indio (>53%) altamente tensos en sustratos de InP que permiten una longitud de onda de emisión del orden de 2,3 µm. Nos concentramos en la alineación de bandas de la red de pozos de Ga0.22In0.78N0.01As0.99 emparejada con barreras de In0.52Al0.48As. Nuestros cálculos muestran que la incorporación de nitrógeno en Ga1−xInxAs mejora significativamente la alineación de bandas, lo que permite que los pozos cuánticos de Ga0.22In0.78N0.01As0.99/In0.52Al0.48As en sustratos de InP compitan con la alineación de bandas única de GaInNAs/GaAs pozos en sustratos de GaAs .
Fuente:IOPscience
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