Llevamos a cabo el crecimiento de área selectiva de GaN y fabricamos MQW de InGaN/GaN en sustratos de GaN a granel no polares y semipolares mediante MOVPE. Se investigaron las diferencias en las estructuras de GaN y la incorporación de In de InGaN/GaN MQW cultivadas en sustratos de GaN no polares y semipolares . En el caso del crecimiento de área selectiva, se obtuvieron diferentes estructuras de GaN en sustratos de GaN, GaN y GaN.. Apareció un patrón repetitivo de y facetas en GaN. Luego, fabricamos MQW de InGaN/GaN en las estructuras de facetas en GaN. Las propiedades de emisión caracterizadas por la catodoluminiscencia fueron diferentes para y facetas. Por otro lado, para los MQW de InGaN/GaN en sustratos de GaN no polares y semipolares, AFM observó pasos a lo largo del eje a. En particular, en GaN, aparecieron ondulaciones y agrupamiento de ondulaciones. La caracterización de la fotoluminiscencia indicó que la incorporación aumentaba con el ángulo fuera del plano m y también dependía de la polaridad.

Fuente:IOPscience

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