Para evaluar las propiedades de transporte de carga de los cristales de CdZnTe de alta resistividad crecidos dopados con In/Al, se midió la respuesta espectroscópica de partículas α utilizando una fuente radiactiva de 241Am (5,48 MeV) sin colimar a temperatura ambiente. Los productos de la vida útil de la movilidad de los electrones (μτ)e de los cristales de CdZnTe se predijeron mediante gráficos de ajuste de la posición del fotopico frente a la intensidad del campo eléctrico utilizando la ecuación de Hecht de un solo portador. Se empleó una técnica TOF para evaluar la movilidad electrónica de los cristales de CdZnTe. La movilidad se obtuvo ajustando las velocidades de deriva de los electrones en función de las intensidades del campo eléctrico, donde las velocidades de deriva se lograron analizando las distribuciones de tiempo de subida de los pulsos de voltaje formados por un preamplificador. Un detector plano de CdZnTe fabricado basado en un cristal de CdZnTe dopado de baja concentración con (μτ)e = 2,3 × 10−3 cm2/V y μe = 1000 cm2/(V punto ms), respectivamente, exhibe una excelente resolución espectral de rayos γ de 6,4% (FWHM = 3,8 keV) para un isótopo 241Am @ 59,54 keV no colimado.

Fuente:IOPscience

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