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Capas epitaxiales de CdS depositadas sobre sustratos InP

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Capas epitaxiales de CdS depositadas sobre sustratos InP

2019-07-22

Las capas de CdS se depositaron sobre sustratos de InP utilizando la técnica de crecimiento de vapor (H2-CdS). Las capas monocristalinas de CdS hexagonal se obtuvieron en InP (111) , (110) y (100) con las siguientes relaciones heteroepitaxiales; (0001) CdS//(111) InP y [bar 12bar 10] CdS//[01bar 1] InP, (01bar 13) CdS//(110) InP y [bar 2110] CdS//[bar 110] InP, (30bar 34) CdS//(100) InP y [bar 12bar 10] CdS//[01bar 1] InP. Las capas de CdS depositadas en InP (bar 1bar 1bar 1) se identificaron en términos de cristales hexagonales maclados, cuyos planos gemelos eran casi paralelos a (30bar 3bar 4) y sus equivalentes cristalográficos. Los gradientes de composición se observaron en la interfaz de los depósitos y los sustratos.


Fuente:IOPscience

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