Capas de germanio altamente dopadas con boro suaves y completamente relajadas se cultivaron directamente en sustratos de Si (001) utilizando epitaxia mediada por carbono. Se midió un nivel de dopaje mediante varios métodos. Usando difracción de rayos X de alta resolución, observamos diferentes parámetros de red para muestras intrínsecas y altamente dopadas con boro. Se calculó un parámetro de red de una Ge:B = 5.653 Å usando los resultados obtenidos por mapeo de espacio recíproco alrededor de la reflexión (113) y el modelo de distorsión tetragonal. La contracción de la red observada se adaptó y se llevó de acuerdo con un modelo teórico desarrollado para silicio altamente dopado con boro. Se realizó espectroscopia Raman en las muestras intrínseca y dopada. Se observó un cambio en el pico de dispersión de fonones de primer orden y se atribuyó al alto nivel de dopaje. Se calculó un nivel de dopaje por comparación con la literatura. También observamos una diferencia entre la muestra intrínseca y dopada en el rango de dispersión de fonones de segundo orden. Aquí, un pico intenso es visible en las muestras dopadas. Este pico se atribuyó al enlace entre el germanio y el isótopo de boro 11B.

Fuente:IOPscience

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