Proponemos el crecimiento de GaN en el patrón de silicona en el aislador (SOI) sustratos , es decir, la técnica de GaN-on-pattern-SOI. El crecimiento selectivo se suprime en el crecimiento de la epitaxia de haz molecular (MBE) a baja temperatura, y GaN Por lo tanto, las nanocolumnas se cultivan epitaxialmente en una sustrato de silicio y un sustrato de óxido de silicio. los GaN Las placas que crecen en el sustrato de óxido de silicio están totalmente suspendidas en el espacio por una asociación de micromaquinado de silicio a granel y el grabado con HF tamponado. La fotoluminiscencia y los resultados de la reflexión sugieren que la absorción de silicio de la luz emitida se elimina de forma independiente. GaN losa, y las pérdidas por reflexión se reducen en la GaN superficie de nanocolumn. Este trabajo proporciona una forma prometedora de combinar la tecnología SOI con el crecimiento de GaN Para producir nuevos dispositivos ópticos.

fuente: iopscience

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