2020-03-17
2020-03-09
En este estudio, la viabilidad de utilizar tecnología de unión de obleas para fabricar un semiconductor GaSb en Sustrato de GaAs para crear potencialmente un Estructura de aislante GaSb ha sido demostrado. Una oblea de GaSb se ha unido en dos tipos de sustratos de GaAs:
(1) un sustrato de GaAs semiaislante de un solo cristal regular
(2) las obleas de GaAs con α-amorfo a baja temperatura pre-depositado ( Ga, como ) capas.
Las microestructuras y los estudios de adhesión de la interfaz se han llevado a cabo en estos semiconductores unidos por obleas. Se ha encontrado que el GaSb-on-α- ( Ga, como ) las obleas han demostrado una mejor adherencia de la interfaz y una capacidad de unión a temperaturas más bajas.
fuente: iopscience
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