casa / Noticias /

3C-SiC de tipo p altamente dopado en sustratos de 6H-SiC

Noticias

3C-SiC de tipo p altamente dopado en sustratos de 6H-SiC

2019-11-11

Se han desarrollado capas de p-3C-SiC altamente dopadas de buena perfección cristalina mediante epitaxia por sublimación en vacío. El análisis de los espectros de fotoluminiscencia y la dependencia de la temperatura de la concentración del portador muestra que existen al menos dos tipos de centros aceptores en ~ E V  + 0,25 eV y en  E V  + 0,06–0,07 eV en las muestras estudiadas. Se llega a la conclusión de que las capas de este tipo se pueden utilizar como emisores p en dispositivos 3C-SiC.


Fuente:IOPscience

Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net , 

envíenos un correo electrónico a  sales@powerwaywafer.com  o  powerwaymaterial@gmail.com

Contáctenos

Si desea un presupuesto o más información sobre nuestros productos, por favor déjenos un mensaje, le responderemos lo antes posible.
   
Chatea ahora contáctenos & nbsp;
Si desea un presupuesto o más información sobre nuestros productos, por favor déjenos un mensaje, le responderemos lo antes posible.