2020-03-17
2020-03-09
Se han desarrollado capas de p-3C-SiC altamente dopadas de buena perfección cristalina mediante epitaxia por sublimación en vacío. El análisis de los espectros de fotoluminiscencia y la dependencia de la temperatura de la concentración del portador muestra que existen al menos dos tipos de centros aceptores en ~ E V + 0,25 eV y en E V + 0,06–0,07 eV en las muestras estudiadas. Se llega a la conclusión de que las capas de este tipo se pueden utilizar como emisores p en dispositivos 3C-SiC.
Fuente:IOPscience
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