2020-03-17
2020-03-09
Se demuestra la integración de semiconductores III-V (p. ej., GaAs y GaN) y CMOS de silicio sobre aislante (SOI) en un sustrato de Si de 200 mm. La oblea donante SOI-CMOS se une temporalmente a una oblea de mango de Si y se diluye . A continuación, se une un segundo sustrato de GaAs/Ge/Si a la oblea del mango que contiene SOI-CMOS. Después de eso, se elimina el Si del sustrato GaAs/Ge/Si. Luego, el sustrato de GaN/Si se une a la oblea del mango que contiene SOI-GaAs/Ge. Finalmente, la oblea del mango se libera para realizar la estructura híbrida SOI-GaAs/Ge/GaN/Si en un sustrato de Si. Mediante este método, las funcionalidades de los materiales utilizados se pueden combinar en una única plataforma de Si.
Fuente:IOPscience
Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net ,
envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
Información del contacto
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
