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oblea epitaxial led basada gan
La oblea epitaxial con base en gan (nitruro de galio) de pam-xiamen es para el ultra alto brillo en diodos emisores de luz azul y verde (led) y diodos láser (ld). -
silicio monocristalino de la zona flotante
fz-silicon el silicio monocristalino con las características de bajo contenido de material extraño, baja densidad de defectos y estructura cristalina perfecta se produce con el proceso de zona flotante; no se introduce material extraño durante el crecimiento del cristal. la conductividad de fz-silicio suele ser superior a 1000 Ω-cm, y el fz-silicio se utiliza principalmente para producir elementos de alta tensión inversa y dispositivos fotoelectrónicos.etiquetas calientes : zona de flotación fz de silicio proceso de zona flotante lingote de silicio oblea de sílice fabricantes de lingotes de silicio
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oblea de silicio epitaxial
oblea epitaxial de silicio (oblea epi) es una capa de silicio monocristalino depositada sobre una oblea de silicio de cristal único (nota: está disponible para hacer crecer una capa de capa de silicio policristalino encima de una oblea de silicio monocristalina altamente dopada, pero necesita capa de amortiguación (tal como óxido o poli-si) entre el substrato a granel y la capa epitaxial superior)etiquetas calientes : oblea de silicio epi oblea de silicio epitaxial fabricantes de obleas epitaxiales fabricante de oblea epi silicio en el aislador
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oblea inp
xiamen powerway ofrece obleas inp - fosfuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) o vgf (congelación en gradiente vertical) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferente orientación (111) o ( 100).etiquetas calientes : oblea inp substrato inp oblea de fosfuro de indio sustrato de fosfuro de indio precio de la oblea inp fabricantes de fosfuro de indio
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oblea insb
xiamen powerway ofrece unsb wafer - antimoniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como grado epi-ready o mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).etiquetas calientes : oblea insb sustrato inser oblea antimonida de indio sustrato de antimoniuro de indio propiedades antimonida del indio precio de la oblea insb
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inas wafer
xiamen powerway ofrece inas wafer - arseniuro de indio que se cultivan mediante lec (czochralski encapsulado en líquido) como epi-ready o grado mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).etiquetas calientes : inas wafer inas sustrato oblea de arseniuro de indio sustrato de arseniuro de indio semiconductor de arseniuro de indio estructura de arseniuro de indio
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oblea de brecha
xiamen powerway ofrece gap wafer - fosfuro de galio que crecen con lec (líquido czochralski encapsulado) como epi-listo o de grado mecánico con tipo n, tipo p o semi-aislante en diferentes orientaciones (111) o (100).
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