qué estás buscando?

luna@powerwaywafer.com

powerwaymaterial@gmail.com 

casa / lista de obleas /

oblea de semiconductor de indio

lista de obleas

categorías

Productos Recomendados

últimas noticias

oblea de semiconductor de indio

2017-12-21

oblea de semiconductor de indio

inas wafer substrate- arseniuro de indio
cantidad materi Alabama o yo Entation. diámetro espeso s polaco resistividad tipo dopante Carolina del Norte multitud ilidad epd
piezas (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 inas ( 110 ) 40 500 ssp norte /un pag (1-9) e17 n / A n / A
1-100 inas ( 100 ) 50.8 450 ssp n / A pag 1e17 / cc n / A \u0026 lt; 20000
1-100 inas ( 100 ) 50.8 400 ssp n / A n / s 5e18-2e19 \u0026 gt; 6,000 \u0026 lt; 1e4
1-100 inas ( 100 ) 50.8 400 dsp n / A n / s 5e18-2e19 \u0026 gt; 6,000 \u0026 lt; 1e4
1-100 inas (111) b 50.8 n / A ssp n / A n / s (1-3) e18 n / A n / A
1-100 inas ( 100 ) 50.8 n / A ssp n / A n / te 1e16 / cc n / A n / A
1-100 inas ( 100 ) 50.8 400 dsp n / A pag (1-9) e18 / cc n / A n / A
1-100 inas ( 100 ) 3x3x5 n / A n / A n / A n / A 3e16 / cc n / A n / A
como proveedor de obleas inas, ofrecemos una lista de obleas inas para su referencia, si necesita detalles de los precios, póngase en contacto con nuestro equipo de ventas


Nota:

*** como fabricante, también aceptamos una pequeña cantidad para el investigador o la fundición.

*** tiempo de entrega: depende de las existencias que tenemos, si tenemos stock, podemos enviarle pronto.

sustrato de oblea inp- fosfuro de indio
cantidad materia l orientación. Diam eter espeso ess polaco resistividad tipo dopante Carolina del Norte mobi lity epd
piezas (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 En p ( 111 ) 25.4 300 n / A n / A n / A \u0026 lt; 3e16 \u0026 gt; 3500 \u0026 lt; 3e4
1-100 En p ( 100 ) 50.8 400 ± 10 ssp n / A norte/ (5-50) e15 n / A \u0026 lt; 20000
1-100 En p ( 111 ) 50.8 400 ± 10 ssp n / A p / zn ~ 1e19 n / A \u0026 lt; 20000
1-100 En p ( 100 ) 50.8 400 ssp n / A norte/ ~ 5e17 n / A n / A
1-100 En p (111) a 50.8 n / A n / A n / A p / zn ~ 5e18 n / A n / A
1-100 En p (111) ± 0.5 ° 50.8 350 ssp \u0026 gt; 1e7 sin dopar (1-10) e7 \u0026 gt; 2000 \u0026 lt; 3e4
1-100 En p (100) / (111) 50.8 350-400 ssp n / A norte (1-3) e18 n / A n / A
1-100 En p ( 111 ) 50.8 500 ± 25 ssp n / A sin dopar n / A n / A n / A
1-100 En p (111) a 50.8 500 ssp \u0026 gt; 1e7 sin dopar n / A n / A n / A
1-100 En p (111) a 50.8 500 ± 25 ssp n / A sin dopar n / A n / A n / A
1-100 En p (111) b 50.8 500 ± 25 ssp n / A sin dopar n / A n / A n / A
1-100 En p ( 110 ) 50.8 400 ± 25 ssp n / A p / zn n / s n / A n / A n / A
1-100 En p ( 110 ) 50.8 400 ± 25 dsp n / A p / zn n / s n / A n / A n / A
1-100 En p (110) ± 0.5 50.8 400 ± 25 ssp n / A n / A n / A n / A n / A
1-100 En p (100) ± 0.5 50.8 350 ± 25 ssp n / A p / zn n / A n / A n / A
1-100 En p n / A 50.8 500 n / A n / A n / A n / A n / A n / A
1-100 En p (111) b 50.8 400 ± 25 n / A \u0026 gt; 1e4 n / te n / A n / A n / A
1-100 En p (211) b 50.8 400 ± 25 n / A \u0026 gt; 1e4 n / te n / A n / A n / A
1-100 En p (311) b 50.8 400 ± 25 n / A \u0026 gt; 1e4 n / te n / A n / A n / A
1-100 En p ( 111 ) 50.8 n / A ssp n / A norte (1-9) e18 n / A n / A
1-100 En p n / A 50.8 4000 ± 300 n / A n / A n / A sin dopar n / A n / A
1-100 En p ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp n / A n / s (1-9) e18 n / A n / A
1-100 En p ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp n / A n / s ~ 3e17 n / A n / A
1-100 En p (100) / (111) 76.2 600 ssp n / A norte (1-3) e18 n / A n / A
1-100 En p (100) ± 0.5 76.2 600 ± 25 ssp n / A sin dopar \u0026 lt; 3e16 \u0026 gt; 3500 \u0026 lt; 3e4
1-100 En p ( 100 ) 76.2 400-600 dsp n / A undoped / fe n / A n / A n / A
1-100 En p ( 100 ) 76.2 600 ± 25 ssp n / A n / A n / s n / A n / A
1-100 En p ( 100 ) 76.2 600 ± 25 ssp n / A n / A n / A n / A n / A
1-100 En p ( 100 ) 76.2 675 ± 25 dsp n / A n / A (3-6) e18 n / A n / A
1-100 En p ( 100 ) 76.2 600 ± 25 dsp n / A n / A 2.00e + 18 mi n / A
1-100 En p ( 100 ) 76.2 600 ± 25 dsp n / A n / A n / A n / A n / A
1-100 En p ( 111 ) 10x10 500 ± 25 ssp n / A sin dopar n / A n / A n / A
1-100 En p n / A 30-40 n / A n / A n / A n / A n / A n / A n / A
1-100 En p (100) 2 ° apagado +/- 0.1 grado t.n. (110) 50 ± 0.2 500 ± 20 ssp ≥1e7 si / fe n / A ≥2000 ≤5000
como proveedor de obleas inp, ofrecemos una lista de obleas inp para su referencia, si necesita detalles de los precios, póngase en contacto con nuestro equipo de ventas


Nota:

*** como fabricante, también aceptamos una pequeña cantidad para el investigador o la fundición.

*** tiempo de entrega: depende de las existencias que tenemos, si tenemos stock, podemos enviarle pronto.

sustrato de la oblea insb: antimoniuro de indio
cantidad material orientar ion. diámetro grueso ness polaco resistividad tipo dopante Carolina del Norte Movilidad y epd
piezas (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 insub ( 100 ) 50.8 500 ssp n / A n / undoped \u0026 lt; 2e14 n / A n / A
1-100 insub ( 100 ) 50.8 500 n / A n / A n / A n / A n / A n / A
como proveedor de obleas insb, ofrecemos una lista de obleas insb para su referencia, si necesita detalles de los precios, póngase en contacto con nuestro equipo de ventas


Nota:

*** como fabricante, también aceptamos una pequeña cantidad para el investigador o la fundición.

*** tiempo de entrega: depende de las existencias que tenemos, si tenemos stock, podemos enviarle pronto.








Contáctenos

Si desea un presupuesto o más información sobre nuestros productos, por favor déjenos un mensaje, le responderemos lo antes posible.
#

casa

#

productos

#

Noticias

#

   
Chatea ahora contáctenos & nbsp;
Si desea un presupuesto o más información sobre nuestros productos, por favor déjenos un mensaje, le responderemos lo antes posible.