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inp / ingaas / inp epi oblea

2017-07-18

podemos ofrecer 2 \"inp / ingaas / inp epi wafer de la siguiente manera:


substrato inp:


Obleas de fosfuro de indio,

p / e 2 \"dia × 350 +/- 25um,

tipo n inp: s

(100) +/- 0.5 °,

edp \u0026 lt; 1e4 / cm2.

un piso pulido, parte trasera mate grabado, semi planos.


capa epi:


epi 1: ingaas: (100)

espesor: 100 nm,

capa de parada de grabado


epi 2: inp: (100)

espesor: 50nm,

capa de unión



fuente: semiconductorwafers.net


Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web: http://www.semiconductorwafers.net,

envíenos un correo electrónico a angel.ye@powerwaywafer.co m o powerwaymaterial@gmail.com .


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