Se emplea una técnica de implantación novedosa que utiliza la implantación secuencial de carbono (C) y boro (B) para controlar la difusión lateral y vertical de B desde la región de la base p del transistor de efecto de campo epicanal de carburo de silicio plano (SiC) (ECFET ) . ). Las mediciones actuales de espectroscopia transitoria de nivel profundo se realizaron para establecer la intercorrelación entre la difusión mejorada de B y los defectos eléctricamente activos introducidos por la implantación secuencial de C y B. Se encontró que la formación de un nivel de defecto profundo se suprime por completo en la misma proporción (C:B=10:1) que para la difusión de B en 4H–SiC. Se propuso un mecanismo de difusión que se correlaciona con la formación del centro D para explicar la difusión mejorada de B observada experimentalmente. La efectividad de la técnica de implantación de C y B para suprimir el efecto pinch del transistor de efecto de campo de unión (JFET) es claramente visible en el aumento de 3 a 4 veces en la corriente de drenaje del ECFET 4H-SiC fabricado para el espaciado de la base p que se redujo a aproximadamente 3 micras. Esta novedosa técnica de implantación resistente a la difusión abre puertas para densidades de empaque más grandes a través de la reducción del paso de celda unitaria para aplicaciones de dispositivos de alta potencia de SiC.

Fuente:IOPscience

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