Procesos de crecimiento epitaxial para Politipos de SiC en el que un Sustrato de SiC Se emplea se estudian utilizando un modelo de crecimiento en capas. Se dan los correspondientes diagramas de fase de los procesos de crecimiento epitaxial. Los cálculos de los primeros principios se utilizan para determinar los parámetros en el modelo de crecimiento en capas. Los diagramas de la fase de crecimiento en capas muestran que cuando se permite la transposición de los átomos en una superficie de bicapa Si-C, se forma la estructura 3C-SiC.

Cuando se permite el reordenamiento de los átomos en dos bicapas Si-C de superficie, el 4H-SiC Se forma la estructura. Cuando se permite la reorganización de los átomos en más de dos bicapas Si-C de superficie, excepto en el caso de cinco bicapas Si-C de superficie, se forma la estructura 6H-SiC, que también se muestra como la estructura del estado fundamental. Cuando se permite la transposición de los átomos en cinco bicapas de Si-C de superficie, se forma la estructura 15R-SiC. Así, la fase 3C-SiC crecería epitaxialmente a baja temperatura, la fase 4H-SiC crecería epitaxialmente a temperatura intermedia y 6H-SiC o las fases 15R-SiC crecerían epitaxialmente a una temperatura más alta.

fuente: iopscience

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