Hemos producido y caracterizado con éxito películas finas de Ge monocristalino sobre sustratos de zafiro (GeOS). Una plantilla GeOS de este tipo ofrece una alternativa rentable a los sustratos de germanio a granel para aplicaciones en las que solo se necesita una capa delgada (<2 µm) de Ge para el funcionamiento del dispositivo. Las plantillas de GeOS se han realizado utilizando la técnica Smart CutTM. Se han fabricado y caracterizado plantillas GeOS de 100 mm de diámetro para comparar la película delgada Gepropiedades con Ge a granel. Se realizaron inspección de defectos superficiales, SEM, AFM, grabado de defectos, XRD y espectroscopia Raman. Los resultados obtenidos para cada técnica de caracterización utilizada han puesto de manifiesto que las propiedades materiales de la película fina de Ge transferida eran muy parecidas a las de una referencia de Ge a granel. Se cultivó una doble heteroestructura epitaxial AlGaInP/GaInP/AlGaInP sobre la plantilla de GeOS para demostrar la estabilidad de la plantilla en las condiciones encontradas en la realización típica de un dispositivo. El comportamiento fotoluminiscente de esta estructura epitaxial fue casi idéntico al de una estructura similar cultivada en un sustrato de Ge a granel. Por lo tanto, las plantillas de GeOS ofrecen una alternativa viable a los sustratos de Ge a granel en la fabricación de dispositivos cuyo funcionamiento es compatible con una estructura de película delgada.

Fuente:IOPscience

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