2020-03-17
2020-03-09
Las películas de carbono amorfo dopadas con Co (aC:Co), depositadas por láser pulsado, muestran características de contacto pn y óhmico con GaAs de baja resistividad (L-GaAs) de tipo n y GaAs de alta resistividad semiaislados (S-GaAs). La fotosensibilidad aumenta para aC:Co/L-GaAs, mientras que la inversa disminuye para la heterounión aC:Co/S-GaAs, respectivamente. Además, la fotosensibilidad mejorada para la heterounión aC:Co/L-GaAs/Ag también muestra un comportamiento de dependencia de la temperatura de deposición, y la temperatura de deposición óptima es de alrededor de 500 °C.
Fuente:IOPscience
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