2020-03-17
2020-03-09
Las propiedades eléctricas de las obleas unidas a temperatura ambiente hechas de materiales con diferentes constantes de red, como p-GaAs y n-Si, p-GaAs y n-Si [ambos con una capa superficial de óxido de indio y estaño (ITO)], y n -GaN y p-GaAs, fueron investigados. La muestra de p-GaAs//n-Si enlazada mostró una resistencia de interfaz eléctrica de 2,8 × 10-1 Ω cm 2 y mostró características de tipo óhmico. Por el contrario, la muestra unida de p-GaAs/ITO//ITO/n-Si mostró características tipo Schottky. La muestra de oblea de n-GaN//p-GaAs unida exhibió características de tipo óhmico con una resistencia de interfaz de 2,7 Ω cm 2 . Hasta donde sabemos, esta es la primera instancia informada de una oblea de GaN//GaAs unida con una baja resistencia eléctrica.
Fuente:IOPscience
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