El  parámetro de red del eje a de Bi 2 Se 3  es casi idéntico a la periodicidad de red de la superficie InP (1 1 1). En consecuencia, obtenemos capas de Bi 2 Se 3  (0 0 0 1) notablemente suaves en crecimiento de epitaxia de pared caliente en sustratos de InP (1 1 1) B. La periodicidad coincidente de la red se conserva en las direcciones [1 1 0] y [ ] de la superficie (0 0 1). Las capas de Bi 2 Se 3  cultivadas en sustratos InP (0 0 1) exhiben una simetría en el plano de 12 veces, ya que la dirección [ ] de Bi 2 Se 3  está alineada con cualquiera de las dos direcciones. Cuando el sustrato InP orientado (1 1 1)s están inclinadas, se encuentra que las capas de Bi 2 Se 3  (0 0 0 1) desarrollan escalones que tienen una altura de ~50 nm. La inclinación del eje Bi 2 Se 3  [0 0 0 1] con respecto a la superficie de crecimiento es la responsable de la creación de los escalones. Por lo tanto, se evidencia que el crecimiento epitaxial tiene lugar en lugar del crecimiento de van der Waals. Señalamos sus implicaciones sobre los estados superficiales de los aisladores topológicos.

Fuente:IOPscience

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