Buscamos condiciones de crecimiento óptimas para realizar planos. Capas BiTe en InP (111) B por epitaxia de pared caliente. El sustrato proporciona un desajuste de celosía relativamente pequeño, y las capas orientadas (0001) crecen semicoherentemente. Se encuentra que la ventana de temperatura para el crecimiento es estrecha debido a la falta de coincidencia de la red que no es cero y la rápida evaporación de BiTe. Las cualidades cristalinas evaluadas mediante difracción de rayos X revelan deterioros cuando la temperatura del sustrato se desvía de lo óptimo no solo a bajas temperaturas sino también a altas temperaturas.

Para temperaturas de sustrato altas, la composición Bi aumenta a medida que Te se pierde parcialmente por sublimación. Mostramos, además, que la exposición del flujo BiTe a temperaturas aún más altas da como resultado un ataque químico anisotrópico de los sustratos debido, presumiblemente, a la sustitución de Bi por los átomos de In de los sustratos. Al aumentar las capas de BiTe en InP (001), demostramos que la anisotropía de enlace en la superficie del sustrato da lugar a una reducción en la simetría de alineación epitaxial en el plano.

fuente: iopscience

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