2020-03-17
2020-03-09
muchos materiales compuestos exhiben polimorfismo, es decir, pueden existir en diferentes estructuras llamadas polimorfos. el carburo de silicio (sic) es único a este respecto, ya que en el 2006 se identificaron más de 250 polimorfos de carburo de silicio, algunos de los cuales tienen una red constante de hasta 301.5 nm, aproximadamente mil veces más que los espaciamientos de retícula sic habituales. los polimorfos de sic incluyen varias fases amorfas observadas en películas y fibras delgadas, así como una gran familia de estructuras cristalinas similares llamadas politipos. regiones de la cristalografía de obleas que son policristalinas o de un material de politipo diferente que el resto de la oblea, tales como 6 h mezcladas con un sustrato de tipo 4h. las regiones de politipos extraños exhiben frecuentemente cambios de color o líneas de límite distintas, y se juzgan en términos de porcentaje de área bajo iluminación difusa.
son interfaces donde se encuentran cristales de diferentes orientaciones. un límite de grano es una interfaz monofásica, con cristales a cada lado del límite que son idénticos excepto en orientación. el término "límite cristalito" a veces, aunque raramente, se usa. las áreas de límite de grano contienen aquellos átomos que han sido perturbados de sus sitios reticulares originales, dislocaciones e impurezas que han migrado al límite de grano de energía más baja.
un arañazo se define como un corte o ranura singular en la superficie frontal de la oblea con una relación de longitud a ancho superior a 5 a 1, y visible bajo una iluminación de alta intensidad.
los sólidos cristalinos exhiben una estructura cristalina periódica. las posiciones de átomos o moléculas ocurren en repeticiones de distancias fijas, determinadas por los parámetros de la celda unidad. sin embargo, la disposición de átomos o moléculas en la mayoría de los materiales cristalinos no es perfecta. los patrones regulares son interrumpidos por defectos cristalográficos. Las estrías en carburo de silicio se definen como defectos cristalográficos lineales que se extienden hacia abajo desde la superficie de la oblea que pueden o no atravesar todo el espesor de la oblea y generalmente siguen planos cristalográficos en toda su longitud .
una sustracción acumulativa de todas las áreas de defecto notadas del área de calidad de oblea frontside dentro de la zona de exclusión de borde. el valor de porcentaje restante indica que la proporción de la superficie frontal está libre de todos los defectos notados (no incluye la exclusión de bordes).
a menudo acortado a rugosidad, es una medida de la textura de una superficie. se cuantifica por las desviaciones verticales de una superficie real desde su forma ideal. si estas desviaciones son grandes, la superficie es rugosa; si son pequeños, la superficie es lisa.
una micropipeta, también denominada \"microporo\", \"microtubo\", \"defecto capilar\" o \"defecto estenopeica\", es un defecto cristalográfico en un sustrato monocristalino. Es un parámetro importante para los fabricantes de substratos de carburo de silicio (sic) que se usan en una variedad de industrias tales como dispositivos de semiconductores de potencia para vehículos y dispositivos de comunicación de alta frecuencia. sin embargo, durante la producción de estos materiales, el cristal sufre tensiones internas y externas que causan el crecimiento de defectos o dislocaciones dentro de la red atómica. una dislocación de tornillo es una dislocación común que transforma sucesivos planos atómicos dentro de una red cristalina en la forma de una hélice. una vez que la dislocación del tornillo se propaga a través del volumen de una muestra durante el proceso de crecimiento de la oblea, se forma una micropipeta. la presencia de una alta densidad de micropipes dentro de una oblea dará como resultado una pérdida de rendimiento en el proceso de fabricación del dispositivo. Las micropipetas y las dislocaciones de tornillo en las capas epitaxiales normalmente se derivan de los sustratos sobre los que se realiza la epitaxia. las micropipetas se consideran dislocaciones de tornillo de núcleo vacío con una gran energía de deformación (es decir, tienen vector de hamburguesas grandes); siguen la dirección de crecimiento (eje c) en bolas de carburo de silicio y sustratos que se propagan a las capas epitaxiales depositadas. Los factores que influyen en la formación de micropipetas (y otros defectos) son los parámetros de crecimiento tales como temperatura, sobresaturación, estequiometría en fase de vapor, impurezas y la polaridad de la superficie del cristal de siembra. La densidad de micropipe (mpd) es un parámetro crucial para los sustratos de carburo de silicio (sic) que determina la calidad, estabilidad y rendimiento de los dispositivos semiconductores construidos sobre estos sustratos. la importancia de mpd se ve subrayada por el hecho de que todas las especificaciones existentes para sustratos de 6h y 4h-sic establecen límites superiores para ella.
Las obleas se cultivan a partir de cristales que tienen una estructura cristalina regular, con silicio que tiene una estructura cúbica de diamante con un espaciado reticular de 5,430710 Å (0,5430710 nm). Cuando se corta en obleas, la superficie se alinea en una de varias direcciones relativas conocidas como orientaciones de cristal. la orientación se define por el índice del molinero, siendo las caras [100] o [111] las más comunes para el silicio. La orientación es importante ya que muchas de las propiedades estructurales y electrónicas de un solo cristal son altamente anisotrópicas. las profundidades de implantación de iones dependen de la orientación del cristal de la oblea, ya que cada dirección ofrece caminos distintos para el transporte. La rotura de obleas normalmente ocurre solo en unas pocas direcciones bien definidas. anotar la oblea a lo largo de los planos de división permite que se pueda dividir fácilmente en fichas individuales (\"troqueles\") para que los miles de millones de elementos de circuito individuales en una oblea promedio se puedan separar en muchos circuitos individuales. en carburo de silicio, el plano de crecimiento del carburo de silicio cristalino. las orientaciones se describen usando índices de molienda tales como (0001) etc. diferentes planos de crecimiento y orientaciones tienen diferentes disposiciones de los átomos o celosía según se ve desde un ángulo particular.
Información del contacto
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
