2020-03-17
2020-03-09
esquemático del láser de microanillo de punto cuántico bombeado eléctricamente. crédito: departamento de ingeniería electrónica e informática, hkust Hace décadas, la ley de Moore predijo que la cantidad de transistores en un circuito integrado denso se duplica aproximadamente cada dos años. esta predicción resultó ser correcta en las últimas décadas, y la búsqueda de dispositivos semiconductores cada vez más pequeños y eficientes ha sido una fuerza motriz en los avances en la tecnología. con una necesidad permanente y creciente de miniaturización e integración a gran escala de componentes fotónicos en la plataforma de silicio para comunicación de datos y aplicaciones emergentes en mente, un grupo de investigadores de la universidad de ciencia y tecnología de hong kong y de la universidad de california, santa barbara, demostraron con éxito pequeños micro-láseres de bombeo eléctrico récord cultivados epitaxialmente en sustratos de silicio estándar de la industria (001) en un estudio reciente. se logró un umbral de submilliamp de 0,6 ma, que emitía en el infrarrojo cercano (1,3 m) para un micro-láser con un radio de 5 μm. los umbrales y las huellas son de menor magnitud que los láseres informados anteriormente crecidos epitaxialmente en si. sus hallazgos fueron publicados en la prestigiosa revista óptica en agosto \"Demostramos los láseres qd de inyección de corriente más pequeños cultivados directamente en silicio estándar de la industria (001) con bajo consumo de energía y estabilidad a altas temperaturas\", dijo Kei May Lau, profesor de ingeniería de colmillos y profesor de la cátedra del departamento de electrónica & ingeniería informática en hkust. \"La realización de láser de alto rendimiento de tamaño micrométrico cultivado directamente en si representa un paso importante hacia la utilización de la epitaxia iii-v / si directa como una opción alternativa a las técnicas de unión de obleas como fuentes de luz de silicio en chip con una integración densa y baja el consumo de energía.\" los dos grupos han estado colaborando y han desarrollado previamente micro-láseres de onda continua (cw) bombeados ópticamente que operan a temperatura ambiente que crecieron epitaxialmente en silicio sin capa de buffer de germanio o error de corte del sustrato. esta vez, demostraron que los láseres qd bombean eléctricamente bombeados epitaxialmente de silicio. \"La inyección eléctrica de micro-láseres es una tarea mucho más desafiante y desalentadora: primero, la metalización de los electrodos está limitada por la cavidad de tamaño micro, que puede aumentar la resistencia del dispositivo y la impedancia térmica; segundo, el modo de galería susurrante (wgm) es sensible a cualquier imperfección de proceso, lo que puede aumentar la pérdida óptica \", dijo yating wan, graduado de Hkust Phd y ahora becario postdoctoral en el grupo de investigación de optoelectrónica de UCSB. \"Como una plataforma de integración prometedora, la fotónica de silicio necesita fuentes de lá...
La nanotopografía es una parte de la topografía global de la superficie de la oblea de silicio y puede afectar el rendimiento en los procesos actuales de fabricación de chips (como cmp). las técnicas que combinan la triangulación láser y las etapas de escaneo de alta precisión ahora son capaces de detectar desviaciones de planitud en el rango nanométrico en toda la superficie de la oblea. además, se aplica el análisis espectral de los datos de altura en bruto (por ejemplo, el cálculo de la densidad espectral de potencia) para cuantificar la nanotopografía de las obleas pulidas del estado de la técnica en un amplio intervalo de longitudes de onda espaciales. palabras clave: ondulación, inspección superficial, rugosidad de la superficie, mediciones de geometría, psd, fuente: sciencedirect Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web: http://www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .
xiamen powerway advanced material co., ltd., un proveedor líder de inalas y otros productos y servicios relacionados anunciaron que la nueva disponibilidad de tamaño 2 \"está en producción masiva en 2017. Este nuevo producto representa una adición natural a la línea de productos de pam-xiamen. Dr. Shaka, dijo, \"nos complace ofrecer inalas capa para nuestros clientes, incluidos muchos que se están desarrollando mejor y más confiables para los láseres en cascada cuánticos de banda ancha. nuestra inalas la capa tiene propiedades excelentes, se usa arseniuro de aluminio y indio, p. como una capa de amortiguación en transistores de hemt metamórficos, donde sirve para ajustar las diferencias constantes de la red entre el sustrato de gaas y el canal de gainas. también se puede usar para formar capas alternativas con arseniuro de indio y galio, que actúan como pozos cuánticos; estas estructuras se usan en, p. láser de cascada cuántica de banda ancha. la disponibilidad mejora el crecimiento de la bola y los procesos de oblea. \"y\" nuestros clientes ahora pueden beneficiarse del mayor rendimiento del dispositivo esperado al desarrollar transistores avanzados en un sustrato cuadrado. nuestra inalas capa son productos naturales de nuestros esfuerzos en curso, actualmente estamos dedicados a desarrollar continuamente productos más confiables \". pam-xiamen ha mejorado inalas línea de productos se ha beneficiado de la tecnología fuerte. apoyo de la universidad nativa y el centro de laboratorio. ahora muestra un ejemplo de la siguiente manera: n ++ ingaas (~ 30nm) (5x10 ^ 19cm ^ -3, inp (no dopado) (~ 3 ~ 5nm), in0.7ga0.3as (no dopado) (3nm), inas (sin duplicar) (2nm) in0.53ga0.47as (sin duplicar) (5nm), in0.52al0.48as (sin duplicar) (~ 15nm), inp (~ 5nm), sio2 (~ 100nm), si (oblea). sobre xiamen powerway material avanzado co., ltd encontrado en 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) es un fabricante líder de material semiconductor compuesto en China. pam-xiamen desarrolla tecnologías avanzadas de crecimiento de cristales y epitaxia, procesos de fabricación, sustratos de ingeniería y dispositivos semiconductores. Las tecnologías de pam-xiamen permiten un mayor rendimiento y una fabricación de obleas de semiconductor de menor costo. acerca de inalas el arseniuro de aluminio y aluminio, también el arseniuro de aluminio y aluminio (alxin1-xas), es un material semiconductor con casi la misma constante reticular que las gainas, pero con una banda de separación mayor. la x en la fórmula anterior es un número entre 0 y 1 - esto indica una aleación arbitraria entre inas y alas.la fórmula alinas debe considerarse una forma abreviada de la anterior, en lugar de una relación particular. se usa arseniuro de indio y aluminio, por ej. como una capa de amortiguación en transistores de hemt metamórficos, donde sirve para ajustar las diferencias constantes de la red entre el sustrato de gaas y el canal de gainas. también se puede usar para formar capas ...
un equipo de laboratorio nacional lawrence livermore dirigido por anna hiszpanski ha diseñado pautas para una alternativa a los recubrimientos antirreflectantes en dispositivos ópticos tales como celdas solares, gafas y cámaras, al diseñar sus superficies con capas de estructuras jerárquicas de longitud micro y nanométrica. crédito: laboratorio nacional lawrence livermore cuando se trata de células solares, menos es más: cuanto menos reflejen sus superficies los rayos del sol, más energía se puede generar. una solución típica al problema de la reflectividad es un recubrimiento antirreflectante, pero esa no siempre es la mejor solución, dependiendo de la aplicación. Los investigadores del laboratorio nacional lawrence livermore (llnl) han presentado pautas para una alternativa a los recubrimientos antirreflectantes en dispositivos ópticos como celdas solares, gafas y cámaras, descubriendo que la reflectividad de la óptica de silicio puede reducirse a tan solo 1 por ciento mediante ingeniería sus superficies con capas de estructuras jerárquicas de micro y nanómetros. un equipo de investigadores de lnl, dirigido por la ingeniera química anna hiszpanski y la estudiante de posgrado de uc santa cruz juan diaz leon, describieron los parámetros en un artículo reciente publicado por la revista Advanced Optical Materials. la tecnología tiene sus raíces en la naturaleza, imitando las estructuras jerárquicas que se encuentran en el ojo de una polilla, lo que les permite absorber más luz y navegar mejor en la oscuridad. \"Es un enfoque antirreflectante diferente\", dijo hiszpanski, que realizó los experimentos y fue el co-autor principal del artículo. \"Las reglas de diseño para estas estructuras anti-reflejantes jerárquicas no se han establecido explícitamente en estas escalas de tamaño. Espero que permitan a otros diseñar y fabricar estructuras óptimas con las propiedades antirreflejantes que necesitan sus aplicaciones \". Los reflejos de las superficies pueden ser un gran desafío en óptica, según Díaz Leon, quien realizó las simulaciones por computadora. típicamente, los recubrimientos anti-reflejo de una sola capa se usan para contrarrestarlo, usando interferencia destructiva para eliminar reflejos solo para una banda estrecha de longitudes de onda y ángulos de visión. Sin embargo, cuando se desea una reflectividad reducida a través de múltiples longitudes de onda y ángulos de visión, se necesitan diferentes enfoques, dijo. en el estudio, el grupo descubrió que la reflectancia promedio hemisférica o total del silicio puede llegar al 38 por ciento, pero si solo las estructuras piramidales a microescala se diseñan en silicio, como es común en las células solares, la reflectancia cae a alrededor del 11 por ciento. sin embargo, al apilar matrices de tamaño micro y nano en la parte superior de las estructuras más grandes, la reflectividad total puede reducirse a tan poco como entre 1 por ciento y 2 por ciento, independientemente del ángulo de entrada de luz. S...
xiamen powerway advanced material co., ltd., un proveedor líder de Algan y otros productos y servicios relacionados anunciaron que la nueva disponibilidad del tamaño 2 \"está en producción en masa en 2017. Este nuevo producto representa una adición natural a la línea de productos de pam-xiamen. Dr. Shaka, dijo, \"nos complace ofrecer Algan material para nuestros clientes, incluidos muchos que se están desarrollando mejor y más confiable para diodos emisores de luz que operan en la región azul a ultravioleta. nuestra Algan el material tiene propiedades excelentes, el margen de banda de alxga1-xn se puede adaptar de 3.4ev (xal = 0) a 6.2ev (xal = 1). también se utiliza en láseres semiconductores azules y en detectores de radiación ultravioleta, y en transistores de alta movilidad de electrones de algan / gan. la disponibilidad mejora el crecimiento de la bola y los procesos de oblea. \"y\" nuestros clientes ahora pueden beneficiarse del mayor rendimiento del dispositivo esperado al desarrollar transistores avanzados en un sustrato cuadrado. nuestra Algan el material es natural por los productos de nuestros esfuerzos continuos, actualmente nos dedicamos a desarrollar continuamente productos más confiables \". pam-xiamen ha mejorado Algan la línea de productos se ha beneficiado de la tecnología sólida, el apoyo de la universidad nativa y el centro de laboratorio. ahora muestra un ejemplo de la siguiente manera: 0) sustrato: h-r si (111) 1) buffer: Algan - 1,5 μm 2) canal: gan - 150 nm 3) barrera: aln - 6 nm 4) sin in-situ -3 nm 5) pecvd sin - 50 nm sobre xiamen powerway material avanzado co., ltd encontrado en 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) es un fabricante líder de material semiconductor compuesto en China. pam-xiamen desarrolla tecnologías avanzadas de crecimiento de cristales y epitaxia, procesos de fabricación, sustratos de ingeniería y dispositivos semiconductores. Las tecnologías de pam-xiamen permiten un mayor rendimiento y una fabricación de obleas de semiconductor de menor costo. acerca de Algan nitruro de aluminio y galio ( Algan) es un material semiconductor. es cualquier aleación de nitruro de aluminio y nitruro de galio. el intervalo de bandgap de alxga1-xn se puede adaptar de 3.4ev (xal = 0) a 6.2ev (xal = 1). [1] Algan se utiliza para fabricar diodos emisores de luz que funcionan en azul a la región ultravioleta, donde se lograron longitudes de onda de hasta 250 nm (muy lejos). también se usa en láseres semiconductores azules. también se usa en detectores de radiación ultravioleta y en transistores de alta movilidad de electrones de algan / gan. Algan a menudo se usa junto con nitruro de galio o nitruro de aluminio, formando heterouniones. Algan las capas también se pueden cultivar en zafiro. hay muchas áreas de posible utilización de la aleación alxga1-xn, y no son las menos importantes las aplicaciones de detectores de rayos ultravioleta. estos incluyen sensores de llama y calor, detección de pluma de m...
Los instrumentos de veeco completaron una iniciativa estratégica con allos semiconductores (allos) para demostrar obleas de 200 mm gan-on-si para producción microled azul / verde. veeco se asoció con allos para transferir su tecnología patentada de epitaxia al sistema de flujo único de propulsión para permitir la producción microdirigida en las líneas de producción de silicio existentes. (imagen: micro led adafruit industries a través de flickr cc2.0) \"Con el reactor de propulsión, tenemos una tecnología mocvd que es capaz de producir epitaxia gan de alto rendimiento que cumple con todos los requisitos para procesar dispositivos micro dirigidos en líneas de producción de silicio de 200 milímetros\", dijo Burkhard Slischka, CEO de Allos Semiconductores. \"En el plazo de un mes, establecimos nuestra tecnología en propulsión y obtuvimos obleas libres de grietas y sin fusión con menos de 30 micrómetros de arco, alta calidad de cristal, uniformidad de espesor superior y uniformidad de longitud de onda de menos de un nanómetro. junto con veeco, Allos espera que esta tecnología esté más ampliamente disponible para el ecosistema dirigido por microempresas \". La tecnología de visualización micro led consiste en leds inorgánicos de \u0026 lt; 30 × 30 micrones cuadrados rojos, verdes, azules (rgb) que se transfieren al plano posterior de la pantalla para formar subpíxeles. La emisión directa de estos leds de alta eficiencia ofrece un menor consumo de energía en comparación con el oled y el lcd, a la vez que proporciona brillo y contraste superiores para pantallas móviles, televisores y dispositivos portátiles. la fabricación de micro-leds requiere obleas epitaxiales uniformes de alta calidad para cumplir con el rendimiento de visualización y los objetivos de costo. \"En contraste con las plataformas mocvd competidoras, propel ofrece uniformidad de vanguardia y simultáneamente logra una excelente calidad de película como resultado de la amplia ventana de proceso ofrecida por la tecnología turbodisco de veeco\", dijo peo hansson, ph.d., vicepresidente senior y gerente general de las operaciones de veeco mocvd. \"La combinación de la experiencia líder en mocvd de veeco con la tecnología epi-oblea gan-on-silicon de allos permite a nuestros clientes desarrollar micro-leds de forma rentable para nuevas aplicaciones en nuevos mercados\". palabras clave: mocvd, veeco, micro led, allos, gan-on-si wafer, fuente: ledinside Para obtener más información, por favor visite nuestro sitio web: http://www.semiconductorwafers.net , envíenos un correo electrónico a angel.ye@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com .
xiamen powerway advanced material co., ltd., un proveedor líder de gan y otros productos y servicios relacionados anunció que la nueva disponibilidad de tamaño 2 \"está en producción masiva en 2017. Este nuevo producto representa una adición natural a la línea de productos de pam-xiamen. Dr. Shaka dijo: \"nos complace ofrecer el sustrato gan a nuestros clientes, incluidos muchos que están desarrollando mejores y más fiables para los ganchos, que han encontrado un uso inmediato en diversas aplicaciones de infraestructura inalámbrica debido a su alta eficiencia y operación de alto voltaje. la tecnología de segunda generación con longitudes de compuerta más cortas se dirigirá a las aplicaciones aeroespaciales y de telecomunicaciones de mayor frecuencia. nuestro sustrato gan tiene propiedades excelentes, es un material semiconductor de banda prohibida ancha, mecánicamente estable y muy duro con alta capacidad de calor y conductividad térmica. en su forma pura, resiste el agrietamiento y puede depositarse en una película delgada sobre zafiro o carburo de silicio, a pesar del desajuste en sus constantes reticulares. gan puede doparse con silicio (si) o con oxígeno a tipo ny con magnesio (mg) a tipo p; sin embargo, los átomos si y mg cambian la forma en que crecen los cristales de gan, introduciendo tensiones de tracción y haciéndolos quebradizos. nitruro de galio los compuestos también tienden a tener una alta densidad de dislocación, del orden de cien a diez mil millones de defectos por centímetro cuadrado. la disponibilidad mejora el crecimiento de la bola y los procesos de oblea. \"y\" nuestros clientes ahora pueden beneficiarse del mayor rendimiento del dispositivo esperado al desarrollar transistores avanzados en un sustrato cuadrado. nuestro sustrato gan es natural gracias a nuestros esfuerzos continuos, actualmente nos dedicamos a desarrollar continuamente productos más confiables \". La línea de productos mejorada de pam-xiamen se ha beneficiado de una sólida tecnología y el apoyo de la universidad y el laboratorio nativos. ahora muestra un ejemplo de la siguiente manera: sustrato fs gan, tipo n, no impurificado: resistividad \u0026 lt; 0,5 ohm.cm, concentración del transportador: (1-5) e17 sustrato fs gan, tipo n, si dopado: resistividad \u0026 lt; 0,5 ohm.cm, concentración del transportador: (1-3) e18, sobre xiamen powerway material avanzado co., ltd encontrado en 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) es un fabricante líder de material semiconductor compuesto en China. pam-xiamen desarrolla tecnologías avanzadas de crecimiento de cristales y epitaxia, procesos de fabricación, sustratos de ingeniería y dispositivos semiconductores. Las tecnologías de pam-xiamen permiten un mayor rendimiento y una fabricación de obleas de semiconductor de menor costo. sobre gan nitruro de galio (gan) es un semiconductor binario bandgap binario iii / v comúnmente utilizado en diodos emisores de luz desde la década de 1990. el compuesto es...
un nuevo material producido por juejun hu y su equipo se puede estirar repetidamente sin perder sus propiedades ópticas. crédito: instituto de tecnología de massachusetts Los investigadores de mit y otras instituciones han desarrollado un método para fabricar dispositivos fotónicos, similares a los dispositivos electrónicos pero basados en luz en lugar de electricidad, que pueden doblarse y estirarse sin daños. los dispositivos podrían encontrar usos en los cables para conectar dispositivos informáticos, o en sistemas de diagnóstico y monitoreo que podrían unirse a la piel o implantarse en el cuerpo, flexionándose fácilmente con el tejido natural. los hallazgos, que implican el uso de un tipo especial de vidrio llamado calcogenuro, se describen en dos documentos del profesor asociado juejun hu y más de una docena más en mit, la universidad de florida central y universidades en china y francia. el documento está programado para su publicación próximamente a la luz: ciencia y aplicaciones. hu, quien es el merton c. flamenco profesor asociado de ciencia e ingeniería de materiales, dice que muchas personas están interesadas en la posibilidad de tecnologías ópticas que se puedan estirar y doblar, especialmente para aplicaciones tales como dispositivos de monitoreo montados en la piel que podrían detectar directamente las señales ópticas. tales dispositivos podrían, por ejemplo, detectar simultáneamente la frecuencia cardíaca, los niveles de oxígeno en la sangre e incluso la presión sanguínea. Los dispositivos fotónicos procesan haces de luz directamente, usando sistemas de leds, lentes y espejos fabricados con los mismos tipos de procesos utilizados para fabricar microchips electrónicos. usar haces de luz en lugar de un flujo de electrones puede tener ventajas para muchas aplicaciones; si los datos originales están basados en luz, por ejemplo, el procesamiento óptico evita la necesidad de un proceso de conversión. pero la mayoría de los dispositivos fotónicos actuales están fabricados de materiales rígidos sobre sustratos rígidos, dice Hu, y tienen un \"desajuste inherente\" para aplicaciones que \"deberían ser suaves como la piel humana\", pero la mayoría de los materiales blandos, incluyendo la mayoría de polímeros, tienen un refractante bajo índice, que conduce a una capacidad pobre de confinar un haz de luz. en lugar de utilizar materiales tan flexibles, hu y su equipo adoptaron un enfoque novedoso: formaron el material rígido, en este caso una capa delgada de un tipo de vidrio llamado calcogenuro, en una espiral similar a un resorte. del mismo modo que se puede hacer que el acero se estire y doble cuando se forma en un resorte, la arquitectura de esta bobina de vidrio le permite estirarse y doblarse libremente mientras mantiene sus deseables propiedades ópticas. una vista de la configuración del laboratorio que se usó para probar los nuevos materiales, demostrando que podían estirarse y flexionarse sin perder la capacidad de confinar haces de...
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