2020-03-17
2020-03-09
Informamos sobre un fotodetector de superred de capa tensa (SLS) InAs/GaSb de tipo II (λ_{\rm cut\hbox{-}off} ~4,3 µm a 77 K) con un diseño de nBn desarrollado en un sustrato de GaAs utilizando matrices de dislocación inadaptadas interfaciales para minimizar las dislocaciones de roscado en la región activa. A 77 K y 0,1 V de polarización aplicada, la densidad de corriente oscura fue igual a 6 × 10−4 A cm−2 y la máxima detección específica D* se estimó en 1,2 × 1011 Jones (a 0 V). A 293 K, se encontró que el D* de polarización cero era de ~109 Jones, que es comparable al detector SLS de nBn InAs/GaSb desarrollado en el sustrato de GaSb .
Fuente:IOPscience
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