2020-03-17
2020-03-09
Las capas de ZnSe se cultivan heteroepitaxialmente en sustratos cortados de una oblea de GaAs(100) semiaislante no dopada y cultivada con LEC a lo largo del diámetro paralelo al eje [001]. Las intensidades de la fotoluminiscencia de excitón libre y la difracción de rayos X de las capas de ZnSe muestran un perfil en forma de M a lo largo del diámetro de la oblea de GaAs y están inversamente correlacionadas con la distribución de la densidad de grabado de la oblea de GaAs. Esta observación brinda, por primera vez, evidencia experimental de que la calidad de las capas heteroepitaxiales de ZnSe cultivadas mediante técnicas epitaxiales recientes puede verse limitada por la calidad de los sustratos de GaAs .
Fuente:IOPscience
Para obtener más información, visite nuestro sitio web: www.semiconductorwafers.net ,
envíenos un correo electrónico a sales@powerwaywafer.com o powerwaymaterial@gmail.com
Información del contacto
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
